[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法无效

申请号：	201210145626.2	申请日：	2012-05-09
公开（公告）号：	CN103390656A	公开（公告）日：	2013-11-13
发明（设计）人：	罗正言;黄敬修	申请（专利权）人：	杜邦太阳能有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/042
代理公司：	深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285	代理人：	唐华明
地址：	中国香港新界白石角香港科学园***	国省代码：	中国香港;81
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摘要：	本发明涉及一种薄膜太阳能电池及其制造方法。所述薄膜太阳能电池至少包括薄膜太阳能电池板及可降解膜，其中所述可降解膜至少覆盖一部分所述薄膜太阳能电池板的受光面，所述可降解膜用以降低所述薄膜太阳能电池的平均透光率。所述薄膜太阳能电池的制造方法包括：提供薄膜太阳能电池板；在所述薄膜太阳能电池板的至少部分受光面上形成可降解膜。本发明既可以保证薄膜太阳能电池使用的安全性和效能，又可以避免习知为了应付光衰退而需要过度设计的问题，从而降低成本。
搜索关键词：	薄膜太阳能电池及其制造方法
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【主权项】：

一种薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池至少包括薄膜太阳能电池板及可降解膜，其中所述可降解膜至少覆盖一部分所述薄膜太阳能电池板的受光面，所述可降解膜用以降低所述薄膜太阳能电池的平均透光率。

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申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本实用新型公开了一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构，包括银电极、氮化硅介质膜、铝背场、硅衬底，在所述氮化硅介质膜上还设有一层氧化铝钝化膜和一层氮氧化硅钝化膜，并在所述氮化硅介质膜和氧化铝钝化膜及氮氧化硅钝化膜的背场上设有若干槽，所述的槽均匀分布。本实用新型更进一步提高了太阳能电池的光电转换效率。

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申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本发明公开了一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池，包括硅片衬底和设置在硅片衬底上的钝化膜，所述钝化膜包括依次叠层沉积在所述硅片衬底正表面的致密层SiO2、疏松层SiO2、致密层Si3N4及疏松层Si3N4。另涉及该晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒-扩散-刻蚀-氧化-PECVD-丝网印刷-烧结测试步骤。采用低温生长SiO2钝化膜和经过PECVD沉积的具有氢钝化作用和很好减反射效果的Si3N4膜构成的SiO2/Si3N4双层膜能明显改善太阳电池的性能，增强太阳能电池表面的钝化效果。

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申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法。所述晶体硅太阳电池，包括第一导电类型晶体硅层；覆盖所述第一导电类型晶体硅层正面的第二导电类型晶体硅层；覆盖所述第二导电类型晶体硅层的遂穿介质膜层；位于遂穿介质膜层上的至少一个金属前电极和减反射膜层；其中，所述遂穿介质膜层的厚度范围为0.1nm～10nm。在本发明技术方案中，遂穿介质膜层既能对第一导电类型晶体硅正面钝化，又能传递载流子，因此降低了饱和暗电流密度，提高了太阳电池的性能。

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摘要：本发明公开了一种太阳能电池表面钝化层结构，该结构采用二氧化硅钝化膜与氮化硅钝化膜组成的叠层钝化膜结构，从而克服了氮化硅钝化膜的界面缺陷密度高和硅氢键不稳定的缺点，解决了二氧化硅钝化膜金属离子阻挡能力差，易吸附水气，光的减反效果不好等缺点；并且将二氧化硅钝化膜的厚度优化为10-40纳米，从而在保证光吸收率的基础上极大的增加对硅材料电活性杂质和表面缺陷的钝化效果，使得光生载流子的表面复合速率明显降低，可以使晶体硅的转化效率提高0.3%。同时，还公开了一种太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，该方法采用热氧化工艺制备二氧化硅钝化膜，采用PECVD工艺制备氮化硅钝化膜，该方法可与太阳能电池制备工艺兼容。

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摘要：本实用新型涉及一种石墨烯/硅太阳电池，该石墨烯/硅太阳电池自下而上依次有背面电极、p型硅层、n型硅层、n型掺杂的石墨烯层和正面电极，石墨烯掺杂载流子浓度不低于1012cm-2。其制造包括：先将p型硅片浸入化学制绒液中，使其表面形成绒面结构；然后将制绒后的样品通过磷扩散或磷离子注入进行磷掺杂形成n型硅层；再将n型掺杂的石墨烯转移至磷掺杂n型硅层上；在p型硅层上制作背面电极；在n型掺杂的石墨烯上制作正面电极。本实用新型的石墨烯/硅太阳电池利用石墨烯材料能提高太阳电池的开路电压，且可以降低太阳电池的串联电阻，提高输出功率。

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发明人：单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;陆川;仇展炜 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本发明公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池由下至上依次包括：背电极、铝背场、硅片、扩散层、钝化层和正电极，所述钝化层为氮氧化硅单层或者氮氧化硅/氮化硅叠层结构。其中，所述氮氧化硅由N2O、SiH4、NH3沉积形成。且N2O与SiH4的体积比大于1：1。采用本发明的太阳能电池可以有效解决太阳能电池光电转换效率偏低的问题，同时实现光伏组件的PID-Free。

一种有金属反射镜的多结太阳能电池及其制备方法-201210087908.1
发明人：陈康;夏伟;于军;张新 -专利权人：山东华光光电子有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本发明涉及一种有金属反射镜的多结太阳能电池及其制备方法。本发明在多结太阳能电池结构上制作局部接触的欧姆接触电流通道，将其它区域的第二帽子层去掉，依次制备透明导电介质材料和蒸镀金属反射镜、阻挡金属层和键合金属。采用键合技术，将外延片键合到第二衬底上，去除第一衬底后的外延片进行电极蒸镀，光刻电极图形，同时去掉多余的第二帽子层后进行合金，然后蒸镀减反射膜，光刻出电极图形，最后蒸镀背面金属，进行合金。本发明在键合的过程中，制备了金属反射镜，将对光吸收严重的帽子层去掉，多余的光会反射回电池，提高光利用率，提高电池效率。

硅纳米球颗粒阵列层作为太阳能电池表面减反陷光层的应用-201310287057.X
发明人：张铭;李青柳;严辉;王如志;汪浩;王波;侯育冬;朱满康;宋雪梅;刘晶冰 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：硅纳米球颗粒阵列层作为太阳能电池表面减反陷光层的应用，属于太阳能电池技术领域。硅纳米球的直径在100-1000nm之间，填充率在0.05-0.4之间；以填充率为0.09时的硅纳米球阵列为例，可以得出在可见光波段（300-850nm）内，SiNSA的反射率始终保持在0.4%以下，同时具有98%以上的高透过率，表现出优异的减反、陷光性能。这种太阳能电池表面新型陷光结构的应用将进一步提高陷光效果，有助于太阳能电池效率的提高。

光伏组件-201280007109.7
发明人： R.席林 -专利权人：阿祖尔太空太阳能有限责任公司
申请日： 2012-01-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本发明涉及一种光伏组件（10），包括由硅制成的载体衬底（12），具有第一和第二太阳能电池接触部（28,30）的太阳能电池（26），尤其是聚光太阳能电池，其与在载体衬底（12）的上侧（38）上的第一太阳能电池接触部（28）连接，用于形成具有第一保护二极管接触部（16）和第二保护二极管接触部（20）的保护二极管（14）的、集成在载体衬底（12）中的pn结（46），所述第一保护二极管接触部和第二保护二极管接触部与太阳能电池（26）反并联接线。为了能够尽可能大面积地构造保护二极管的接触部并且实现太阳能电池的简单的接触，规定第一和第二保护二极管接触部（16,20）分别构成载体衬底（12）的上侧（38）的第一和第二表面区域（18,22）。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法无效

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