[实用新型]一种太阳能电池薄膜

说明书

本实用新型一种太阳能电池薄膜，包括基板、金属层、透明导电层和半导体层，所述基板设置在最底层，所述基板上自下而上依次通过胶合连接有金属层、透明导电层和半导体层，所述金属层为交织的铜丝制成，本实用新型的半导体层选用GaAs、CuInSe2和CdTe中一种或多种成分组成，GaAs属于III‑V族化合物半导体层，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，CuInSe2材料的能降为1.1 eV，适于太阳光的光电转换，另外，CuInSe2材料不存在光致衰退问题，而且具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，CdTe是Ⅱ‑Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，性能很稳定，最适合于光电能量转换。

技术领域

本实用新型涉及薄膜技术领域，具体为一种太阳能电池薄膜。

背景技术

随着煤、石油、天然气等能源日益枯竭和环境污染日益加剧,人们迫切需要寻找清洁可再生新能源，作为地球无限可再生的无污染能源—太阳能的应用日益引起人们的关注,将太阳能转化为电能的太阳能电池的研制得到了迅速发展，薄膜太阳能电池是缓解能源危机的新型光伏器件，太阳能电池薄膜是薄膜太阳能电池中最重要的部件，现有的太阳能电池薄膜的半导体层一般选用硅材料，然而硅材料的太阳光的光电转换率较低，而且太阳能电池薄膜的基板一般采用玻璃材料，强度一般，容易发生损坏，为了解决这些问题，我们提出一种太阳能电池薄膜。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池薄膜，解决了背景技术中所提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种太阳能电池薄膜，包括基板、金属层、透明导电层和半导体层，所述基板设置在最底层，所述基板自下而上依次通过胶合连接有金属层、透明导电层和半导体层，所述金属层为交织的铜丝制成。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述半导体层选用GaAs、CuInSe2和CdTe中一种或多种成分组成。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述基板选用玻璃、塑料、陶瓷和石墨组成。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述透明导电层选用经过铯化处理的ITO制成。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述基板内设有加强层，所述加强层为波浪结构，所述加强层选用玻璃纤维、碳纤维、硼纤维、芳纶纤维、碳化硅纤维等复合材料制成。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1.本实用新型的半导体层选用GaAs、CuInSe2和CdTe中一种或多种成分组成，GaAs属于III-V族化合物半导体层，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，CuInSe2材料的能降为1.1 eV，适于太阳光的光电转换，另外，CuInSe2材料不存在光致衰退问题，而且具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，性能很稳定，最适合于光电能量转换；

2.本实用新型的基板选用玻璃、塑料、陶瓷和石墨组成，取材多样，原料丰富而且生产成本低；

3.透明导电层选用经过铯化处理的ITO 制成，具有光电发射效应，其光电发射稳定，有1. 71 ua/lm 的积分灵敏度, 寿命达千小时以上；

4.基板内设有加强层，使结构稳定，提高本实用新型整体强度，增加使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型一种太阳能电池薄膜结构示意图；

图中：1-基板；2-加强层；3-金属层；4-透明导电层；5-半导体层。

具体实施方式