[发明专利]具有伸出导电通孔的半导体装置和制造此类装置的方法有效
| 申请号： | 201711453999.5 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242438B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 拉克斯明纳里言·维斯瓦纳坦;杰纳尔·A·莫拉;马利·玛哈林甘;科利·格雷格·兰普莱 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体管芯的实施例，其包括基础半导体衬底和延伸于所述基础半导体衬底的表面之间的导电穿衬底通孔(TSV)。所述基础半导体衬底的底部表面包括接近于所述TSV的凹进区域，使得所述TSV的端部从所述底部表面伸出，且因此使得所述TSV侧壁在所述TSV的所述伸出端部处具有暴露部分。由一个或多个金属层组成的背垫金属沉积于所述基础半导体衬底的所述底部表面上且接触所述TSV。所述背垫金属能够包括金层、烧结金属层，和/或多个其它导电层。可使用焊料、另一烧结金属层或其它材料将所述管芯附接到衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 伸出 导电 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有顶部表面和相对底部表面的半导体管芯，其特征在于，所述半导体管芯包括：基础半导体衬底，其包括半导体材料且具有在所述半导体管芯的所述顶部表面下方的第一表面和相对的第二表面；以及导电穿衬底通孔(TSV)，其延伸于所述基础半导体衬底的所述第一表面与所述第二表面之间，其中所述TSV具有接近于所述基础半导体衬底的所述第一表面的第一端部、接近于所述基础半导体衬底的所述第二表面的第二端部，和延伸于所述TSV的所述第一端部与所述第二端部之间的TSV侧壁，且其中，所述基础半导体衬底的所述第二表面包括接近于所述TSV的凹进区域，使得所述TSV的所述第二端部从所述基础半导体衬底的所述第二表面伸出且因此使得所述TSV侧壁在所述TSV的所述第二端部处具有暴露部分。
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