[发明专利]一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法有效
| 申请号： | 201711338646.0 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108376646B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;周炜捷 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法，所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶；在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶；对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层。该半导体器件制程中的台阶的图形化方法可以有效去除半导体基板的台阶侧壁外的材料，提高半导体材料的性能和制造的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 中的 台阶 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶；在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶；对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
