[发明专利]一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法

权利要求书

1.一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：

提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶，所述半导体基板还包括衬底以及形成于所述衬底上并经图形化的第一半导体层，所述台阶由所述图形化的第一半导体层形成；

在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶，所述第一材料层为第一金属层；

在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶，所述第二材料层为第二半导体层；

对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；

对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层，从而去除台阶的侧壁外的第一材料层和第二材料层，形成位于半导体基板上的图案一致的第一材料层和第二材料层。

2.如权利要求1所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述衬底为氧化硅衬底，所述第一半导体层为非晶硅层，所述非晶硅层的厚度大于等于1000埃。

3.如权利要求1所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述对第二材料层进行干法刻蚀的步骤中包括如下步骤：

在所述第二材料层上形成光阻层，所述光阻层覆盖所述第二材料层；

对所述光阻层进行光刻，至少去除与所述台阶侧壁外的所述光阻层；

对所述第二材料层进行干法刻蚀，去除所述光阻层未覆盖区域的第二材料层；

湿法刻蚀去除所述光阻层。

4.如权利要求1所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述第一金属层为氮化钛金属层，所述氮化钛金属层的厚度为100～200埃。

5.如权利要求4所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，在所述对第一材料层进行湿法刻蚀的步骤中通过碱性药液对所述氮化钛金属层进行刻蚀。

6.如权利要求5所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述碱性药液为APM溶液。

7.如权利要求4所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述第二半导体层为非晶硅薄膜或非晶碳薄膜。

8.如权利要求7所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，在所述对第二材料层进行干法刻蚀的步骤中包括如下步骤：

通过氧气对所述非晶碳薄膜进行刻蚀；或者

通过二氟化氙气体对所述非晶硅薄膜进行刻蚀。

9.如权利要求1所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，在所述形成第二材料层的步骤之前，还包括如下步骤：

在所述第一材料层上形成第三材料层，所述第三材料层覆盖所述台阶；

在所述形成第二材料层的步骤中，所述第二材料层形成于所述第三材料层上；

在所述对第一材料层进行湿法刻蚀的步骤之前，还包括如下步骤：

对所述第三材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第三材料层。