[发明专利]一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法

说明书

本发明揭示一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法，所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶；在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶；对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层。该半导体器件制程中的台阶的图形化方法可以有效去除半导体基板的台阶侧壁外的材料，提高半导体材料的性能和制造的良率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法。

背景技术

微电子机械系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)技术具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点，故其已广泛应用在包括红外探测技术等诸多领域中。

在微电子机械系统(MEMS)等半导体器件的制程工艺中，通常将金属材料或半导体材料通过沉积等方式形成于半导体基板的表面，而半导体基板是由半导体层(例如非晶硅)沉积于一衬底上、并经图形化形成的，所以，硅基板的表面往往是不平坦的，半导体层经过图形化后会形成较高的台阶。而后续金属材料或半导体材料会沉积在上述台阶的侧壁上，容易使制程后形成的半导体器件引起短路等问题，因此，如何去除这些台阶的侧壁外侧的金属材料或半导体材料成为了微电子机械系统(MEMS)等工艺中需要重点解决的问题。

虽然，目前存在直接使用湿法工艺去除台阶的侧壁处的金属材料或半导体材料，但是，在这些工艺中，当用于图形化的光刻胶在湿法工艺持续过长时间时，往往会黏附变差而并造成与被刻蚀材料脱离，造成待刻蚀材料的图形化不准确等问题，进而，影响成品的性能，甚至导致半导体器件的良率下降。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法。该半导体器件制程中的台阶的图形化方法可以有效去除半导体基板的台阶侧壁外的材料，提高半导体材料的性能和制造的良率。

根据本发明的一个方面提供一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法，所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶；在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶；对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层。

可选地，所述半导体基板包括衬底以及形成于所述衬底上并经图形化的第一半导体层，所述台阶由所述图形化的第一半导体层形成。

可选地，所述衬底为氧化硅衬底，所述第一半导体层为非晶硅层，所述非晶硅层的厚度大于等于1000埃。

可选地，所述对第二材料层进行干法刻蚀的步骤中包括如下步骤：在所述第二材料层上形成光阻层，所述光阻层覆盖所述第二材料层；对所述光阻层进行光刻，至少去除与所述台阶侧壁外的所述光阻层；对所述第二材料层进行干法刻蚀，去除所述光阻层未覆盖区域的第二材料层。

可选地，在完成所述对第二材料层进行干法刻蚀的步骤后还包括如下步骤：湿法刻蚀去除所述光阻层。

可选地，所述第一材料层为第一金属层，所述第二材料层为第二半导体层。

可选地，所述第一金属层为氮化钛金属层，所述氮化钛金属层的厚度为100～200埃。

可选地，在所述对第一材料层进行湿法刻蚀的步骤中通过碱性药液对所述氮化钛金属层进行刻蚀。

可选地，所述碱性药液为APM溶液。

可选地，所述第二半导体层为非晶硅薄膜或非晶碳薄膜。