[发明专利]一种金属膜剥离清洗方法在审
| 申请号： | 201711192634.1 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107919305A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王耀斌 | 申请（专利权）人： | 陕西盛迈石油有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司61220 | 代理人： | 华长华 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子制造设备技术领域，具体涉及一种金属膜剥离清洗方法。一种金属膜剥离清洗方法，包括以下步骤（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽；（4）从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离；（5）完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺；（6）将晶圆片取出放到收片片盒中，完成清洗过程。本发明使敏感的半导体器件表面的污染减到最小程度，从而大幅度地改善器件性能，提高产品的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属膜 剥离 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种金属膜剥离清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽；（4）从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离；（5）完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺；（6）将晶圆片取出放到收片片盒中，完成清洗过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
