[发明专利]一种金属膜剥离清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子制造设备技术领域，具体涉及一种金属膜剥离清洗方法。

背景技术

随着微电子新材料的使用及器件特征尺寸进一步缩小(进入65～90 nm)，对半导体器件的性能、可靠性和稳定性的要求越来越高，传统的槽式批处理清洗技术在诸多工艺因素的驱动下已难以适应。

发明内容

本发明旨在提出一种金属膜剥离清洗方法。

本发明的技术方案在于：

一种金属膜剥离清洗方法，包括以下步骤：

（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；

（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；

（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽；

（4）从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离；

（5）完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺；

（6）将晶圆片取出放到收片片盒中，完成清洗过程。

优选地，所述的金属剥离步骤为：基层清洗、镀金属膜、涂光阻胶、去胶、刻蚀以及曝光、显影。

优选地，所述的DI水清洗水兆声喷头震荡频率为1MHz。

优选地，所述的干燥的热氮气温度范围为80℃±5℃。

本发明的技术效果在于：

本发明使敏感的半导体器件表面的污染减到最小程度，从而大幅度地改善器件性能，提高产品的可靠性和稳定性。

具体实施方式

一种金属膜剥离清洗方法，包括以下步骤：

（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；

（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；

（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽；

（4）从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离；

（5）完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺；

（6）将晶圆片取出放到收片片盒中，完成清洗过程。

其中，所述的金属剥离步骤为：基层清洗、镀金属膜、涂光阻胶、去胶、刻蚀以及曝光、显影。

DI水清洗水兆声喷头震荡频率为1MHz。

干燥的热氮气温度范围为80℃±5℃。

工作原理是开机后，将装有晶圆片的上片盒放到上片位置，并输出有上片盒信号，一切准备就绪后，启动自动运行程序，2号机械手进行晶圆片位置、数量扫描记忆，确认后号机械手依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽，浸泡槽片夹有上下抖动、反转功能，4号机械手从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离工艺，完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺，清洗步骤结束后，号机械手(洁净手)将晶圆片取出放到收片片盒中，该设备采用4个机械手，从上下片和3个工艺步骤同时进行，提高效率，以上各工步速度、时间等参数可设定。整个过程自动控制，也可单步操作；化学液在线加热、循环、过滤再利用，设备配有自动灭火系统。