[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201711172562.4 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108336067B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 小林直人 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;徐丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置和半导体装置的制造方法。能够抑制半导体装置的尺寸的大型化，并且在电阻体的电阻值偏离设计值的情况下能够利用一片光掩模来进行校正。一种半导体装置，其为具有硅化物层和含有杂质的多晶硅层的电阻体，并且在电阻体的长度方向上具有多个硅化物层与多晶硅层的边界面。此外，一种制造方法，在该半导体装置中，通过变更一片硅化物层形成掩模、并改变硅化物层与多晶硅层的边界面的数量和多晶硅层长度，从而对电阻值进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该半导体装置具有大致长方形状的电阻体，其特征在于，所述电阻体具备：多晶硅层，其含有杂质；接触区，其分别被设置在所述电阻体的两端部，包括与上层配线电连接的接触部；和硅化物层，其在所述接触区以外的区域的至少一处隔着具有规定的电阻值的边界面而与所述多晶硅层连接，并具有与所述多晶硅层相同的宽度。
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