[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置具有长方形状的电阻体，其特征在于，

所述电阻体具备：

多晶硅层，其含有杂质；

接触区，其分别被设置在所述电阻体的两端部，包括与上层配线电连接的接触部；和

硅化物层，其设置在所述接触区以外的区域的至少一处，隔着具有规定的电阻值的边界面而在两侧与所述多晶硅层连接，并具有与所述多晶硅层相同的宽度，所述硅化物层是将所述多晶硅层从表面到底面形成硅化物而成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述多晶硅层的厚度是50nm以上且150nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触区不包括硅化物层。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法具备如下工序：

对权利要求1或2所述的半导体装置中的所述电阻体的电阻值进行测定；和

在所述电阻值低于设计值的情况下，增加所述硅化物层的数量，在所述电阻值高于所述设计值的情况下，减少所述硅化物层的数量，由此进行调整以使所述电阻值成为所述设计值。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法还具备如下工序：在所述电阻值低于所述设计值的情况下，缩短所述硅化物层的长度，在所述电阻值高于所述设计值的情况下，增长所述硅化物层的长度，由此进行调整以使所述电阻值成为所述设计值。