[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够更准确地控制肖特基电极的势垒高度。该半导体装置的制造方法具有安设工序、处理工序、取出工序及肖特基接触工序。在安设工序中，在具有负载锁定室和成膜室的电极形成装置的负载锁定室内安设多个辅助半导体晶片和以SiC为主材料的多个主半导体晶片。在处理工序中，在对负载锁定室和成膜室进行了减压的状态下，反复进行将多个主半导体晶片中的一部分从负载锁定室输送到成膜室并在输送到成膜室内的主半导体晶片的表面上形成表面电极的处理。在取出工序中，从电极形成装置取出多个辅助半导体晶片和形成有表面电极的多个主半导体晶片。在肖特基接触工序中，使表面电极与主半导体晶片进行肖特基接触。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括如下的工序：安设工序，在具有负载锁定室和成膜室的电极形成装置的所述负载锁定室内安设多个辅助半导体晶片和以碳化硅为主材料的多个主半导体晶片；处理工序，在对所述负载锁定室和所述成膜室进行了减压的状态下，反复进行将所述多个主半导体晶片中的一部分从所述负载锁定室输送到所述成膜室并在输送到所述成膜室内的所述主半导体晶片的表面形成表面电极的处理；取出工序，从所述电极形成装置取出所述多个辅助半导体晶片和形成有所述表面电极的所述多个主半导体晶片，在所述多个辅助半导体晶片上没有通过所述电极形成装置形成电极；及肖特基接触工序，使所述表面电极与所述主半导体晶片进行肖特基接触。