[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201711159927.X | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108133881B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 熊泽辉显;副岛成雅;竹内有一 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 苏卉;高培培 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括如下的工序：
安设工序，在具有负载锁定室和成膜室的电极形成装置的所述负载锁定室内安设在表面存在水分的多个辅助半导体晶片和在表面存在水分的以碳化硅为主材料的多个主半导体晶片；
处理工序，在对所述负载锁定室和所述成膜室进行了减压的状态下，反复进行将所述多个主半导体晶片中的一部分从所述负载锁定室输送到所述成膜室并在输送到所述成膜室内的所述主半导体晶片的表面形成表面电极的处理；
取出工序，从所述电极形成装置取出所述多个辅助半导体晶片和形成有所述表面电极的所述多个主半导体晶片，在所述多个辅助半导体晶片上没有通过所述电极形成装置形成电极；及
肖特基接触工序，使所述表面电极与所述主半导体晶片进行肖特基接触，
在所述处理工序的期间，水分从所述主半导体晶片的表面及所述辅助半导体晶片的表面气化，并向所述负载锁定室内供给水分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在各所述辅助半导体晶片的表面设有具备开口部的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述绝缘层是氧化硅层。
4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述安设工序之前，还具有通过化学气相沉积在所述辅助半导体晶片的表面形成所述绝缘层的工序。
5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述安设工序之前，还具有通过化学气相沉积在所述辅助半导体晶片的表面形成所述绝缘层的工序。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
反复进行多次包括所述安设工序、所述处理工序、所述取出工序及所述肖特基接触工序的工序序列，
在各所述工序序列中，使用同一半导体晶片作为所述辅助半导体晶片。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
反复进行多次包括所述安设工序、所述处理工序、所述取出工序及所述肖特基接触工序的工序序列，
在各所述工序序列中，将在以前的工序序列中用作所述辅助半导体晶片的半导体晶片作为所述主半导体晶片使用。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述安设工序之前，还具有利用水对所述多个辅助半导体晶片进行清洗的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
