[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201711129123.5 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108155156A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 苏洹漳;李志成;何政霖 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包括第一介电层、第二介电层、组件、图案化导电层和至少两个导电通孔。所述第一介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第二介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一介电层的所述第二表面附接于所述第二介电层的所述第一表面。所述第二介电层内的组件具有至少两个邻近所述第一介电层的所述第二表面的电触点。所述第一介电层内的所述图案化导电层邻近所述第一介电层的所述第一表面。所述导电通孔穿透所述第一介电层并且将所述电触点与所述图案化导电层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 第一表面 第二表面 半导体封装结构 图案化导电层 导电通孔 电触点 邻近 电连接 附接 穿透 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，其包含:第一介电层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第二介电层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一介电层的所述第二表面附接于所述第二介电层的所述第一表面；组件，其在所述第二介电层内，所述组件包含至少两个电触点；第一图案化导电层，其自所述第一介电层的所述第一表面暴露，且被包埋在所述第一介电层中而未自所述第一介电层的所述第一表面突出；以及至少两个导电通孔，其穿透所述第一介电层或所述第二介电层,每一导电通孔电连接到所述至少两个电触点之一相应者。
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