[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

说明书

本发明揭示一种半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包括第一介电层、第二介电层、组件、图案化导电层和至少两个导电通孔。所述第一介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第二介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一介电层的所述第二表面附接于所述第二介电层的所述第一表面。所述第二介电层内的组件具有至少两个邻近所述第一介电层的所述第二表面的电触点。所述第一介电层内的所述图案化导电层邻近所述第一介电层的所述第一表面。所述导电通孔穿透所述第一介电层并且将所述电触点与所述图案化导电层电连接。

本申请是申请日为2015年03月31日，申请号为201510147262.5，发明名称为“半导体封装结构及其制造方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构和一种半导体制造方法，且更确切地说涉及一种半导体封装结构和其制造方法。

背景技术

在至少部分地由针对较小尺寸和增强的加工速度的需求的驱动下，半导体装置变得越来越复杂。同时，存在使含有这些半导体装置的许多电子产品进一步小型化的需求。半导体装置通常被封装，并且接着可安装在包括电路的衬底(如电路板)上。这使得空间被半导体装置封装和衬底两者所占据，且衬底上的表面积被半导体装置封装所占据。另外，可能会通过执行作为独立工艺的封装、板制造和装配而发生费用。所希望的是减少衬底上由半导体装置占据的空间，且简化并组合应用于半导体装置和衬底的封装、板制造和装配工艺。

发明内容

根据本发明的一个实施例，一种半导体封装包括第一介电层、第二介电层、组件、第一图案化导电层和至少两个第一导电通孔。第一介电层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二介电层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一介电层的第二表面连接于第二介电层的第一表面。第二介电层内的组件具有至少两个电触点。电触点邻接于第一介电层的第二表面。第一图案化导电层在第一介电层内并邻接于第一介电层的第一表面。第一导电通孔穿透第一介电层并与第一图案化导电层一起电连接电触点。

根据本发明的一个实施例，一种半导体封装包括基层、绝缘层、组件和第一图案化导电层。组件在基层内且具有至少两个从基层暴露的电触点。绝缘层安置在基层上且覆盖暴露的电触点。第一图案化导电层在绝缘层内且具有从绝缘层暴露的表面。第一导电通孔穿透绝缘层。电触点经由第一导电通孔电连接到第一图案化导电层。

根据本发明的一个实施例，一种制造半导体封装方法包括：(a)在载体上形成图案化导电层；(b)形成包埋图案化导电层的第一介电层；(c)用电触点将组件连接到第一介电层；(d)在第一介电层上形成第二介电层以囊封组件；(e)去除载体；以及(f)形成多个穿透第一介电层的导电通孔，其中图案化导电层经由导电通孔与组件的电触点电连接。

附图说明

图1示出根据本发明的一个实施例的半导体封装结构的截面视图；

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、图2G、图2H和图2I示出根据本发明的一个实施例的制造方法；

图3示出根据本发明的一个实施例的半导体封装结构的截面视图。

图4A和4B示出根据本发明的一个实施例的制造方法。

贯穿图式和具体实施方式使用共同参考数字以指示相同或类似元件。从以下结合附图作出的具体实施方式，本发明将会更显而易见。

具体实施方式