[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201711129123.5 申请日: 2015-03-31
公开(公告)号: CN108155156A 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 苏洹漳;李志成;何政霖 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 介电层 第一表面 第二表面 半导体封装结构 图案化导电层 导电通孔 电触点 邻近 电连接 附接 穿透 制造
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其包含:

第一介电层,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

第二介电层,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第一介电层的所述第二表面附接于所述第二介电层的所述第一表面;

组件,其在所述第二介电层内,所述组件包含至少两个电触点;

第一图案化导电层,其自所述第一介电层的所述第一表面暴露,且被包埋在所述第一介电层中而未自所述第一介电层的所述第一表面突出;以及

至少两个导电通孔,其穿透所述第一介电层或所述第二介电层,每一导电通孔电连接到所述至少两个电触点之一相应者。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述至少两个电触点包含安置在所述组件的相对侧的两个电触点,和所述电触点的每一者的第一表面的至少一部分由所述第二介电层暴露。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其中每一导电通孔安置在所述两个电触点的所述相应者的所述第一表面的暴露部分上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中针对所述至少两个电触点的每一者,所述组件位于所述第二介电层内使得所述电触点的第一表面的周长的投影相交所述第二介电层的所述第一表面和所述电触点的第二表面的周长的投影相交所述第二介电层的所述第二表面。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构,其中所述至少两个电触点包含第一电触点和第二电触点,和所述第一图案化导电层包含通过所述组件及在所述第一电触点的所述第一表面的所述周长的所述投影与所述第二电触点的所述第一表面的所述周长的所述投影之间的至少一迹线。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构,其中所述至少两个导电通孔包含从所述第二介电层的所述第二表面延伸到所述第一电触点的第一导电通孔和从所述第二介电层的所述第二表面延伸到所述第二电触点的第二导电通孔。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其中所述至少两个导电通孔进一步包含从所述第一介电层的所述第一表面延伸到所述第一电触点的第三导电通孔和从所述第一介电层的所述第一表面延伸到所述第二电触点的第四导电通孔。

8.一种半导体封装结构,其包含:

第一介电层,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

第二介电层,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第一介电层的所述第二表面附接于所述第二介电层的所述第一表面;

组件,其在所述第二介电层内,所述组件包含至少两个电触点,

第一图案化导电层,其在所述第一介电层内,所述第一图案化导电层的顶表面与所述第一介电层的所述第一表面实质上共面;以及

至少两个导电通孔,其穿透所述第一介电层或所述第二介电层和电连接到所述至少两个电触点的一相应者。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其中所述至少两个电触点包含安置在所述组件的相对侧的两个电触点,和所述电触点的每一者的第一表面的至少一部分由所述第二介电层暴露。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构,其中所述至少两个导电通孔的每一导电通孔安置在所述至少两个电触点的所述相应者的所述第一表面的暴露部分上。

11.根据权利要求9所述的半导体封装结构,其中针对所述至少两个电触点的每一者,所述组件位于所述第二介电层内使得所述电触点的第一表面的周长的投影相交所述第二介电层的所述第一表面和所述电触点的第二表面的周长的投影相交所述第二介电层的所述第二表面。

12.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其中所述至少两个电触点包含第一电触点和第二电触点,和所述第一图案化导电层包含通过所述组件及在所述第一电触点的所述第一表面的所述周长的所述投影与所述第二电触点的所述第一表面的所述周长的所述投影之间的至少一迹线。

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