[发明专利]芯片封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201711015723.9 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109712966A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈彧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片封装结构及其形成方法，通过将相邻两晶片堆之间的间隙中的全部或者部分底胶替换为热膨胀系数较低的模塑层，减少了底胶的量，同时降低了由模塑层和底胶构成的封装胶体的热膨胀系数，由此减小了所述封装胶体与晶片堆以及基板间的CTE失配差异，进而改善了基板和晶片堆的翘曲和分层现象，提高了封装性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片堆 底胶 芯片封装结构 热膨胀系数 封装胶体 模塑层 基板 分层现象 封装性能 减小 翘曲 失配 替换 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板具有上表面和下表面；多个晶片堆，设置于所述基板的上表面上且相邻晶片堆之间具有间隙，每个晶片堆包括至少一个晶片；以及底胶，至少填充在每个晶片堆与所述基板的上表面之间的部分空间中以及每个晶片堆相邻两层晶片之间的部分空间中；模塑层，填满相邻晶片堆之间的间隙并覆盖所有晶片堆的侧壁和顶部以及底胶的侧壁和顶部，且所述模塑层的热膨胀系数低于所述底胶。
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