[发明专利]芯片封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板具有上表面和下表面；

多个晶片堆，设置于所述基板的上表面上且相邻晶片堆之间具有间隙，每个晶片堆包括至少一个晶片；以及

底胶，至少填充在每个晶片堆与所述基板的上表面之间的部分空间中以及每个晶片堆相邻两层晶片之间的部分空间中；

模塑层，填满相邻晶片堆之间的间隙并覆盖所有晶片堆的侧壁和顶部以及底胶的侧壁和顶部，且所述模塑层的热膨胀系数低于所述底胶。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，每个晶片堆与所述基板的上表面之间的空间的中间区域为粘合剂或者粘贴膜；和/或，每个晶片堆相邻两层晶片之间的空间的中间区域为粘合剂或者粘贴膜。

3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述底胶填充在每个晶片堆与所述基板的上表面之间的空间的边缘区域中，和/或填充在每个晶片堆相邻两层晶片之间的空间的边缘区域中。

4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述间隙为切割道。

5.如权利要求1至4中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述底胶还对相邻晶片堆之间的间隙进行部分填充。

6.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括载体，粘附于所述基板的下表面。

7.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基板和所有晶片均具有穿透硅通孔，每个晶片的穿透硅通孔与所述基板的穿透硅通孔对准。

8.一种权利要求1至7中任一项所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一具有上表面和下表面基板，在所述基板的上表面上依次堆叠晶片，以形成多个晶片堆，相邻晶片堆之间具有间隙，每个晶片堆包括至少一个晶片；

通过所述间隙向每个晶片堆以及每个晶片堆和基板的上表面之间的空间中填充底胶，直至每个晶片堆最顶层的两层晶片之间的空间被填满；

去除所述间隙中的全部或部分底胶，形成开口；

形成热膨胀系数低于所述底胶的模塑层，所述模塑材料填满所述开口并覆盖所有晶片堆的侧壁和顶部以及底胶的侧壁和顶部。

9.权利要求8所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，在所述基板的上表面上依次堆叠晶片以形成多个晶片堆时，先对所述基板的上表面用于形成晶片堆的位置上涂覆粘合剂或者贴附粘贴膜以粘贴最底层晶片，然后在每个晶片堆的下层晶片表面上，涂覆粘合剂或者贴附粘贴膜以粘贴所述晶片堆的上层晶片。

10.权利要求8所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述基板的上表面上依次堆叠晶片之前，在所述基板的下表面粘附一载体。

11.权利要求10所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述基板的上表面上依次堆叠晶片之前，对所述基板堆叠晶片的表面进行减薄；或者，在形成模塑层之后，去除所述载体，并对所述基板的下表面进行减薄。

12.权利要求10所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，所述基板和所有晶片均具有穿透硅通孔，在所述基板的上表面上依次堆叠晶片时，每个晶片的穿透硅通孔与所述基板上相应的穿透硅通孔对准。

13.权利要求8所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，通过包括光刻工艺、蚀刻工艺和预切割工艺中的至少一种去除所述间隙中的全部或部分底胶，以形成开口，并对所述开口进行清洗。

14.权利要求13所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，采用去离子水对所述开口进行清洗。

15.权利要求8至14中任一项所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成模塑层之后，沿所述间隙进行晶片切割，得到多个独立的芯片封装体。