[发明专利]封装结构在审
| 申请号： | 201710992581.5 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN108666280A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 戴志轩;郭婷婷;黄育智;陈志华;蔡豪益;刘重希;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封装结构，包含半导体装置、第一塑模化合物、通孔、第一介电层、第一重分布线，和第二塑模化合物。第一塑模化合物与半导体装置的侧壁接触。通孔位于第一塑模化合物，并电性连接到半导体装置。第一介电层在半导体装置上。第一重分布线在第一介电层中并且电性连接到半导体装置和通孔。第二塑模化合物与第一介电层的侧壁接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 塑模化合物 介电层 通孔 侧壁接触 电性连接 封装结构 重分布线 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构，其特征在于，包含：一半导体装置；一第一塑模化合物，与该半导体装置的侧壁接触；一通孔，设置于该第一塑模化合物中，并电性连接该半导体装置；一第一介电层，设置在该半导体装置上；一第一重分布线，设置在该第一介电层中，且电性连接该半导体装置和该通孔；以及一第二塑模化合物，与该第一介电层的侧壁接触。
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