[发明专利]金刚石涂层钻/铣刀具研磨预处理的方法有效
| 申请号： | 201710818265.6 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107513696B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 薛喆;张韬 | 申请（专利权）人： | 张家港市微纳新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/27 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 王玉;董建林 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石涂层钻/铣刀具研磨预处理的方法，包括：首先对硬质合金钻/铣刀具进行表面去钴预处理；然后将树脂颗粒与金刚石微粉混合，制备喷砂研磨粉，利用树脂‑金刚石混合喷砂研磨装置对刀具表面进行喷砂研磨处理，均匀去除刀具表面的基体材料；利用热丝化学气相沉积法对预处理后的钻/铣刀具进行金刚石薄膜沉积。该方法研磨效率高，操作简单方便，材料去除均匀且不会损伤刀具刃口，在研磨粗化复杂形状刀具时效果尤为显著，在此基础上，利用热丝化学气相沉积法对预处理后的钻/铣刀具进行金刚石薄膜沉积，可增加涂层平整度，提高涂层表面活性，达到增强层间附着强度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 预处理 铣刀 研磨 热丝化学气相沉积法 金刚石薄膜 金刚石涂层 刀具表面 喷砂 沉积 硬质合金 复杂形状刀具 金刚石微粉 材料去除 刀具刃口 混合喷砂 基体材料 树脂颗粒 涂层表面 研磨处理 研磨效率 研磨装置 金刚石 平整度 研磨粉 增强层 树脂 粗化 附着 去除 制备 损伤 | ||
【主权项】：
1. 一种金刚石涂层钻/铣刀具研磨预处理的方法，其特征是，包括：首先对硬质合金钻/铣刀具进行表面去钴预处理；然后将树脂颗粒与金刚石微粉混合，树脂颗粒与金刚石微粉混合时，采用W5～W10粒度的金刚石微粉和60～80目的树脂颗粒，以1:4的质量比进行混合，并在甘油中进行超声处理30～60 min，使树脂颗粒表面均匀吸附金刚石微粉，制备喷砂研磨粉，利用树脂‑金刚石混合喷砂研磨装置对刀具表面进行喷砂研磨处理，均匀去除刀具表面的基体材料；利用热丝化学气相沉积法对预处理后的钻/铣刀具进行金刚石薄膜沉积。
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- 一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统及其工作方法-201811611380.7
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- 2018-12-27 - 2019-03-29 - C23C16/02
- 本发明公开一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统及其工作方法，该系统包括安装壳体、升降调节机构、加热机构、淬火淀积机构，加热机构、淬火淀积机构设于安装壳体的内壁处，升降调节机构包括升降托台、升降调节器、自动升降台、升降杆；加热机构包括加热器、防对流塞、石英腔体；淬火淀积机构包括进气腔体、进气阀门、进气口，进气腔体的顶部通过法兰与加热器密封连接。该系统在不破坏腔体环境的情况下可以将器件移动至另外一个温度区域实现不同薄膜的生长，把淬火装置和CVD复合膜制备有效的结合在一起。该系统结构简单，操作方便，在不需要降温相变的情况即可实现CVD薄膜生长，降低工艺时间的同时提高了器件质量。
- 一种金刚石涂层刀具的退涂方法-201611116715.9
- 许立;赵亚晴 - 富耐克超硬材料股份有限公司
- 2016-12-07 - 2019-03-15 - C23C16/02
- 本发明涉及一种金刚石涂层刀具的退涂方法，属于涂层刀具技术领域，包括以下步骤：将金刚石涂层刀具放入微波等离子体化学气相沉积设备的腔室内，抽真空，然后通入氮气，使腔室内压力达到6~8kPa，设定微波的频率为2.45GHz，功率为3~6kW或者选用微波的频率为916MHz，功率不小于35kW的CVD涂层设备，升高温度至300~500℃，以200~300sccm通入氧气，保温，完成退涂，得到刀具基体。本发明方法简单，成本低廉，不使用对人体有危害的气体，能够有效去除金刚石涂层且无损基体，适用于规模化生产。
- 一种等离子体装置及其应用-201710707689.5
- 邢政;付凯;李华;崔志国 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2017-08-17 - 2019-03-01 - C23C16/02
- 本发明公开了一种等离子体装置及其应用。所述等离子体装置包括等离子体发生器、密封机构、第一电极、第二电极、第一电极板以及第二电极板；所述密封机构能够与薄膜沉积设备的真空腔室配合形成密封空间，第一电极及第二电极设置于密封机构上，第一电极分别与等离子体发生器和第一电极板连接，第二电极与第二电极板连接，第二电极还用于与薄膜沉积设备的外壳连接，第一电极板与第二电极板之间设有用以容置待处理样品的、可调的间距，该间距能够在等离子体发生器工作时形成等离子体区域。本发明的等离子体装置结构简单、灵活，可实现样品预处理与薄膜生长在同一真空环境下完成，避免转移时产生的二次污染问题以及半导体器件中的表面态问题。
- 一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法-201710153507.4
- 张琳;慈立杰;王旭天 - 山东大学
- 2017-03-15 - 2019-02-26 - C23C16/02
- 本发明公开了一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法。本发明采用本发明采用射频磁控溅射技术和化学气相沉积的方法，用六方氮化硼靶作为磁控溅射靶材，用有300nm二氧化硅的<100>晶向的硅基作为溅射衬底，通过在硅基上直接沉积硼氮薄膜作为催化剂，其上生长石墨烯，省去了溅射沉积金属催化剂的步骤，从而达到优化工艺，节约资源，降低成本的效果。同时通过控制化学气相沉积过程中的参数，使得制备得到的石墨烯一致性良好，具有较好的热和化学稳定性。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
