[发明专利]指纹识别芯片的封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 201710801546.0 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107481979B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60;G06K9/00 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 214437江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种指纹识别芯片的封装结构及封装方法，所述封装结构包括：硅衬底；重新布线层，形成于所述硅衬底上，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；金属凸块，形成于金属布线层上；指纹识别芯片，通过金属焊点装设于所述金属布线层上，其中，所述指纹识别芯片的正面朝向于所述金属布线层，所述指纹识别芯片的背面低于所述金属凸块上表面。芯片保护层，位于所述指纹识别芯片与重新布线层之间的间隙中。本发明采用扇出型（Fan out）封装指纹识别芯片，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、生产效率高、厚度小、良率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 指纹识别 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种指纹识别芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：/n硅衬底，减薄后的硅衬底的厚度范围为50～100μm；/n重新布线层，形成于所述硅衬底上，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；/n金属凸块，形成于所述金属布线层上；/n指纹识别芯片，通过金属焊点装设于所述金属布线层上，其中，所述指纹识别芯片的正面朝向于所述金属布线层，所述指纹识别芯片的背面低于所述金属凸块上表面；/n所述重新布线层与指纹识别芯片的垂向对应区域包含有连续的介质层，且不包含所述金属布线层，以作为所述指纹识别芯片的识别窗口；/n芯片保护层，位于所述指纹识别芯片与所述重新布线层之间的间隙中；/n所述识别窗口厚度范围为100μm～200μm。/n
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