[发明专利]半导体结构、扇出型封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710652838.2 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107301984A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构、扇出型封装结构及其制备方法，所述半导体结构包括衬底；剥离胶层，位于所述衬底的上表面；塑封材料层，位于所述剥离胶层的上表面；半导体芯片，塑封于所述塑封材料层内，且正面朝向倒装键合于所述剥离胶层的上表面；环氧树脂层，塑封于所述塑封材料层内。本发明的半导体结构在剥离胶层与半导体芯片之间设置环氧树脂层，在将改半导体结构用于封装结构时，去除衬底和剥离胶层之后，再将环氧树脂层剥离，可以使得半导体芯片的正面无任何胶残留，便于半导体结构与重新布线层的电连接，可以确保形成的封装结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 扇出型 封装 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底；剥离胶层，位于所述衬底的上表面；塑封材料层，位于所述剥离胶层的上表面；所述塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面，所述塑封材料层的第一表面与所述剥离胶层的上表面相接触；半导体芯片，塑封于所述塑封材料层内，且正面朝向倒装键合于所述剥离胶层的上表面；环氧树脂层，塑封于所述塑封材料层内，且位于所述半导体芯片与所述剥离胶层之间，以使得所述半导体芯片的正面相较于所述塑封材料层的第一表面内凹预设深度。
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