[发明专利]半导体封装装置及其制造方法有效
申请号: | 201710574710.9 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107622989B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 博恩·卡尔·艾皮特;凯·史提芬·艾斯格;邱基综 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | 一种半导体封装装置包含第一裸片、粘合剂层和囊封剂层。所述第一裸片包括所述第一裸片的第一表面处的第一电极,和所述第一裸片的与所述第一裸片的所述第一表面相对的第二表面处的第二电极。所述粘合剂层安置于所述第一裸片的所述第一表面上。所述囊封剂层囊封所述第一裸片和所述粘合剂层,其中所述第二电极的大体上整个表面从所述囊封剂层暴露。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装装置,其包括:/n裸片,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述裸片包括安置在所述裸片的所述第一表面处的第一电极和安置在所述裸片的所述第二表面处的第二电极;/n粘合剂层,其安置于所述裸片的所述第一表面上;以及/n囊封剂层,其囊封所述裸片和所述粘合剂层,其中所述第二电极的大体上整个表面从所述囊封剂层暴露。/n
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