[发明专利]用于半导体制造的内部等离子体格栅

摘要

本文所公开的实施方式涉及用于半导体制造的内部等离子体格栅，具体涉及蚀刻半导体衬底的改进的方法和装置。等离子体格栅组件被定位在反应室中以将所述室分成上部和下部子室。等离子体格栅组件可以包括具有特定的高宽比的槽的一个或多个等离子体格栅，从而允许某些物质从上部子室通到下部子室。在使用多个等离子体格栅的情况下，一个或多个格栅可以是可移动的，允许至少在所述下部子室维持等离子体条件的延续性。在某些情况下，在上部子室中产生电子‑离子等离子体。通过格栅到下部子室的电子当它们通过时受到冷却。在某些情况下，这导致在下部子室中的离子‑离子等离子体。

主权项

一种用于反应室的格栅组件，所述反应室包括在所述格栅组件上方的等离子体源和在所述格栅组件下方的衬底支撑架，所述反应室被配置为执行等离子体处理，所述格栅组件包括：第一格栅，其包括允许在所述格栅组件上方产生的离子穿过所述第一格栅的穿孔；第二格栅，其包括允许在所述栅格组件上方产生的离子穿过所述第二栅格的穿孔，所述第一格栅和所述第二栅极被配置为用在所述反应室中；其中所述第一和第二格栅基本上平行并相互垂直对准，使得当安装在所述反应室中时，所述第一格栅位于所述第二格栅上方，并且其中所述第一格栅和所述第二格栅可相对于彼此移动；其中当所述第一和第二格栅位于第一相对位置时，所述格栅组件具有第一格栅组件开放区域，并且当所述第一格栅和所述第二格栅位于第二相对位置时，所述格栅组件具有第二格栅组件开放区域；其中当所述第一和第二格栅位于所述第一相对位置时，在所述格栅组件上方产生的等离子体产生通过所述第一格栅组件开放区域的第一离子通量分布，以及当所述第一和第二格栅位于所述第二相对位置时，在所述格栅组件上方产生的等离子体产生通过所述第二格栅组件开放区域的第二离子通量分布，其中与所述第一离子通量分布相比，所述第二离子通量分布相对于所述格栅组件的中心相对更集中在所述格栅组件的周边附近。