[发明专利]半导体封装件中的再分布层及其形成方法有效
| 申请号： | 201710534227.8 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN107808870B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 谢正贤;许立翰;吴伟诚;陈宪伟;叶德强;吴集锡;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 实施例封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂以及将第一导电通孔电连接到第二导电通孔的导线。该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有沿第一方向延伸的第一长度方向尺寸的第一段，以及具有沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸的第二段。第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的边界上方延伸。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 中的 再分 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装件，包括：/n第一集成电路管芯；/n密封剂，围绕所述第一集成电路管芯；/n导线，将第一导电通孔电连接到第二导电通孔，其中，所述导线包括：/n第一段，在所述第一集成电路管芯上方，并且具有沿第一方向延伸的第一纵向尺寸；和/n第二段，具有沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸，其中，所述第二段在所述第一集成电路管芯和所述密封剂之间的边界上方延伸。/n
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