[发明专利]一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710519106.6 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107275190B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张欣;何胜;赵福祥;金起弘 | 申请（专利权）人： | 韩华新能源（启东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;林传贵 |
| 地址： | 215221 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）准备材料：准备干净的半导体衬底；（2）制备底层薄膜：将所述的半导体衬底放入沉积设备中，在沉积腔中通入反应气体SiH |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 制备 双层 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）准备材料：准备半导体衬底；（2）制备底层薄膜：将所述的半导体衬底放入沉积设备中，在所述沉积设备的沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3并通过设置第一沉积条件，在所述半导体衬底上沉积底层氮化硅薄膜；（3）制备外层薄膜：在步骤（2）结束后继续在所述沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3，设置第二沉积条件控制反应气体SiH4和NH3的流量呈线性变化，在所述底层氮化硅薄膜的外表面形成外层氮化硅薄膜，最终形成双层氮化硅薄膜结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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