[发明专利]一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710519106.6 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107275190B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张欣;何胜;赵福祥;金起弘 | 申请（专利权）人： | 韩华新能源（启东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;林传贵 |
| 地址： | 215221 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 制备 双层 氮化 薄膜 方法 | ||
1.一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）准备材料：准备半导体衬底；
（2）制备底层薄膜：将所述的半导体衬底放入沉积设备中，在所述沉积设备的沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3并通过设置第一沉积条件，在所述半导体衬底上沉积底层氮化硅薄膜；
（3）制备外层薄膜：在步骤（2）结束后继续在所述沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3，设置第二沉积条件控制反应气体SiH4和NH3的流量呈线性变化，在所述底层氮化硅薄膜的外表面形成外层氮化硅薄膜，最终形成双层氮化硅薄膜结构；
步骤（3）中所述第二沉积条件为：沉积功率为6000-8000W，压强为1500-2000mTorr，时间为450-550s，在沉积的过程中，NH3的流量呈线性变化，SiH4的流量线性减小，直到NH3流量为4-6slm，SiH4流量为450-1000sccm且达到沉积时间时沉积结束；
步骤（2）中所述第一沉积条件为：沉积功率为6000-8000W，压强为1500-2000mTorr，时间为100-200s，NH3的流量为4-8slm，SiH4的流量为800-1800sccm；
所述第二沉积条件中NH3的流量保持不变、线性增大或线性减小，SiH4的流量以0.01-3sccm/s的梯度均匀减小。
2.根据权利要求1所述的一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤（2）中所述第一沉积条件为：沉积功率为6000W，压强为1500mTorr，时间为200s，NH3的流量为4 slm，SiH4的流量为1000sccm。
3.根据权利要求1所述的一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤（2）中所述第一沉积条件为：沉积功率为8000W，压强为2000mTorr，时间为100s，NH3的流量为8 slm，SiH4的流量为1800sccm。
4.根据权利要求1所述的一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤（2）中所述第一沉积条件为：沉积功率为7000W，压强为1700mTorr，时间为100s，NH3的流量为5 slm，SiH4的流量为1000sccm。
5.根据权利要求1所述的一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤（3）中所述第二沉积条件为：沉积功率为6000W，压强为1500mTorr，时间为550s；在外层薄膜沉积的过程中，NH3的流量保持4slm不变，SiH4流量从1000sccm以1sccm/s的梯度均匀减小至450sccm，直到沉积结束。
6.根据权利要求1所述的一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤（3）中所述第二沉积条件为：沉积功率为8000W，压强为2000mTorr，时间为450s；在外层薄膜沉积的过程中，NH3的流量从8slm以0.005slm/s的梯度均匀减小至5.8slm，SiH4流量从1800sccm以3sccm/s的梯度均匀减小至450sccm，直到沉积结束。
7.根据权利要求1所述的一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤（3）中所述第二沉积条件为：沉积功率为7000W，压强为1700mTorr，时间为500s；在外层薄膜沉积的过程中，NH3的流量从5slm以0.002slm/s的梯度均匀增加至6slm，SiH4流量从1000sccm以1sccm/s的梯度均匀减小至500sccm，直到沉积结束。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩华新能源（启东）有限公司，未经韩华新能源（启东）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710519106.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
