[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710416823.6 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN107195544B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 小林勇介;吉村尚 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01L29/32;H01L29/36;H01L21/329;H01L21/331;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置的制造方法包括：注入工序，从第一导电型的半导体基板(101)的背面进行质子注入；和形成工序，在注入工序后，通过在退火炉中对半导体基板(101)进行退火处理，从而形成比半导体基板(101)具有更高的杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域(101a)，形成工序在使退火炉处于氢气氛，并将氢的容积浓度为6％～30％的条件下进行。由此，在通过质子注入而进行的施主生成中能够实现晶体缺陷降低。另外，能够提高施主化率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：注入工序，从第一导电型的半导体基板的背面进行质子注入；和形成工序，通过在所述注入工序后，在退火炉中对所述半导体基板进行退火处理，从而形成比所述半导体基板具有更高的杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域，所述退火炉具有用于防止由氢气引起的爆炸的防爆机构，所述形成工序在使所述退火炉处于氢气氛、并将该氢的容积浓度设为6％～30％的条件下进行，在向所述退火炉的内部导入所述氢气之前，包括通过对所述退火炉的内部进行减压，向所述退火炉的内部导入氮气和氢气而形成常压气氛，从而减少所述退火炉的内部的氧分压的工序，所述退火处理的退火温度为300℃～450℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710416823.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体制造方法
- 下一篇：用于热退火的方法及通过该方法形成的半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
