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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]降低阈值电压漂移的方法和设备-CN201780033523.8有效
发明人： D.曼特加扎;F.潘;P.S.达姆勒;H.P.贝尔加尔;K.潘加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：降低存储器单元的选择器装置的阈值电压漂移的所公开示例包括：将所施加电压提供给存储器单元的选择器装置，所施加电压小于选择器装置的阈值电压；以及通过在选择器装置将所施加电压保持阈值持续时间以激活选择器装置，来降低存储器单元的阈值电压漂移。
降低阈值电压漂移方法设备

[发明专利]开关设备、相变存储器设备、计算系统和关联方法-CN201680068980.6有效
发明人： D.曼特加扎;S.古利亚尼;B.斯里尼瓦桑;K.潘加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-11-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种开关设备，包括：相变材料；字线；位线，跨所述相变材料耦合到所述字线；以及电路，被配置成：将字线读取偏置电压施加到所述字线；将所述字线从所述字线读取偏置电压解耦合以使所述字线浮动；将位线读取偏置电压施加到所述位线，使得浮动字线处的字线读取偏置电压和位线读取偏置电压导致将偏置施加到所述相变材料，所述偏置大于所述相变材料的阈值电压；以及将所述字线重新耦合到所述字线读取偏置电压以将修复电流递送到所述相变材料。
开关设备相变存储器设备计算系统关联方法

[发明专利]非易失性存储器中的恢复算法-CN201580044846.8有效
发明人： R.H.莫特瓦尼;K.潘加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：描述了用于存储器中的恢复算法的装置、系统和方法。在一个实施例中，控制器包括逻辑用于以下的逻辑：从主机设备接收读取到存储器设备的数据行的读取请求，其中数据跨多个（N个）管芯散布并且包括跨所述多个（N个）管芯散布的纠错码（ECC）；从存储器设备检索数据行；对从存储器设备检索到的数据行执行纠错码（ECC）校验；以及响应于从存储器设备检索到的数据行上的ECC校验中的错误而调用恢复算法。还公开和要求保护其它实施例。
非易失性存储器中的恢复算法

[发明专利]使用基于温度的NAND设置的闪速存储器系统耐久性改进-CN201480047574.2有效
发明人： Y.B.瓦克乔尔;K.潘加尔;郭炘 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：描述了使用基于温度的闪速存储器设置来改进闪速存储器系统耐久性的方法和设备。在一个实施例中，存储器控制器逻辑至少部分基于阈值温度值和闪速存储器存储装置的感测的温度的比较来将第一调整配置文件或第二调整配置文件中的一个应用于闪速存储器存储装置。还公开和请求保护了其它实施例。
使用基于温度 nand 设置存储器系统耐久性改进

[发明专利]交叉点存储器偏置方案-CN201580009603.0有效
发明人： N.弗兰克林;S.古利亚尼;M.陶布;K.潘加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本公开涉及交叉点存储器偏置方案。设备包括：存储器控制器，其包括字线(WL)控制模块和比特线(BL)控制模块，存储器控制器配置成发起目标存储器单元的选择；感测模块，配置成确定目标存储器单元是否已经被选择；以及C单元偏置模块，配置成如果目标单元没有被选择则建立C单元偏置。
交叉点存储器偏置方案

[发明专利]存储器中的错误校正-CN201480059004.5有效
发明人： R.H.莫特瓦尼;K.潘加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：描述了用于存储器中的错误校正的装置、系统和方法。在一个实施例中，控制器包括逻辑以：从主机设备接收针对存储在存储器中的数据的读取请求，取回数据和相关联的错误校正码字，向主机设备发送数据，应用错误校正例程以解码与数据一起取回的错误校正码字，并且响应于错误校正码字中的错误而向主机设备发送与错误相关联的数据的位置。还公开和要求保护其它实施例。
存储器中的错误校正

[发明专利]刷新存储器单元的电压值的存储器控制器和方法-CN201480047332.3有效
发明人： K.潘加尔;R.K.拉马努延;R.W.法伯;R.森达拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本文公开了包括与刷新存储器单元相关联的系统、方法和装置的实施例。在实施例中，存储器控制器可以被配置成执行诸如相变存储器（PCM）之类的交叉点非易失性存储器中的一个或多个存储器单元上的读取操作。一个或多个存储器单元可以具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值。基于读取，存储器控制器可以识别被设置成第二阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元，并且刷新那些单元的电压值而不更改被设置成第一阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值。可以描述或要求保护其它实施例。
存储交叉点非易失性存储器中的数据刷新

[发明专利]减轻交叉点存储器中的读取干扰的方法和设备-CN201580008219.9有效
发明人： D.J.初;K.潘加尔;N.R.弗兰克林;P.S.丹勒;C-H.胡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开涉及减轻交叉点存储器中的读取干扰。设备可包括配置成选择用于存储器访问操作的目标存储器单元的存储器控制器。存储器控制器包括配置成确定在感测间隔期间是否发生骤回事件的感测模块；和配置成如果检测到骤回事件，则将逻辑1回写到存储器单元的回写模块。
减轻交叉点存储器中的读取干扰

[发明专利]使用纠错指针处置存储器中的错误-CN201380079076.1有效
发明人： R.H.莫特瓦尼;K.潘加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本文描述了涉及使用纠错指针（ECP）处置存储器中的硬错误的方法、装置和系统。在实施例中，存储器控制器的读取模块可以读取存储在存储器中的码字。读取模块可以确定码字中的硬错误的数目。响应于确定硬错误的数目超过阈值，读取模块可以存储与硬错误相关联的ECP信息。读取模块可以包括纠错码（ECC）模块，用于在码字上执行ECC过程。读取模块可以响应于确定ECC过程失败而使用ECP信息解码码字以恢复数据。可以描述和要求保护其他实施例。
使用纠错指针处置存储器中的错误

[发明专利]在交叉点存储器中作为加热器的热干扰-CN201580027694.0有效
发明人： G.劳萨布;K.潘加尔;N.弗兰克林 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开涉及在交叉点存储器中作为加热器的热干扰。一种设备包含存储器控制器。存储器控制器配置成响应于与目标存储器单元关联的选择故障和设置故障存储器读错误中的至少一项而标识目标存储器单元。存储器控制器进一步配置成将第一序列恢复脉冲施加到邻近于目标存储器单元的第一数量的选择的邻近存储器单元，第一序列恢复脉冲配置成在目标存储器单元中引起加热。
交叉点存储器作为加热器干扰

[发明专利]减轻存储器装置的偏置漂移的技术-CN201780014452.7在审
发明人： R.耶亚辛格;N.N.加耶拉;M.J.陶布;K.潘加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：示例可包括减轻存储器装置的存储器单元的偏置漂移的技术。为写操作选择与第一字线和位线所耦合的第一存储器单元。为写操作解除选择与第二字线和位线所耦合的第二存储器单元。在写操作期间将第一和第二偏置电压施加到第一字线和位线，以对第一存储器单元进行编程。在写操作期间将第三偏置电压施加到第二字线，以降低或减轻由施加到位线的第二偏置电压引起的对第二存储器单元的电压偏置，以对第一存储器单元进行编程。
存储器单元写操作字线偏置电压位线漂移存储器装置第二存储器耦合的施加偏置编程电压偏置

[发明专利]具有分布变换器的存储器控制器-CN201380079111.X有效
发明人： R.H.莫特瓦尼;K.潘加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：描述了涉及用于存储器的存储器控制器的方法、装置和系统。在一个实施例中，存储器控制器可以包括：分布变换器，其被配置成接收要被存储到存储器中的数据，其中所述数据具有针对具有第一逻辑值的位和具有第二逻辑值的位的m1:n1比的分布，其中m和n是实数。所述分布变换器可以将数据变换成偏斜数据，其中所述偏斜数据具有针对具有第一逻辑值的位和具有第二逻辑值的位的m’:n’比的分布，其中m’和n’是不同于彼此且分别不同于m和n的实数。所述分布变换器可以输出偏斜数据以存储在存储器中。可以描述并要求保护其他实施例。
具有分布变换器存储器控制器

[发明专利]多阶存储器单元读取-CN201510215810.3有效
发明人： S.古里亚尼;K.潘加尔;B.斯里尼瓦桑;C.胡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：多阶读取可根据正读取的存储器单元的阈值电压的函数动态改变字线电容。多阶读取可减少电流尖脉冲，并减少读取期间存储器单元的变热。存储器装置包含全局字线驱动器以将选择的存储器单元的字线连接到读出电路并将局部字线驱动器局部连接到存储器单元。在字线被充电到读取电压之后，控制逻辑可有选择地启用和禁用部分或全部全局字线驱动器和局部字线驱动器，以及向位线施加不同的离散电压电平以执行多阶读取。
存储器单元读取

[发明专利]与保护写入到非易失性存储器的系统关键数据相关联的技术-CN201380044717.X有效
发明人： K.潘加尔;R.H.莫特瓦尼;P.S.丹勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：公开了针对与保护被写入到非易失性存储器的系统关键数据相关联的技术的示例。在一些示例中，系统关键数据可以通过使用第一数据保护方案而被写入到非易失性存储器。包括非系统关键数据的用户数据还可以通过使用第二数据保护方案而被写入到非易失性存储器。针对这些示例，两个数据保护方案可以具有相同的给定数据格式大小。提供针对第一数据保护方案的使用的各种示例，其与通过使用第二数据保护方案提供给用户数据的保护相比，可以提供针对系统关键数据的增强的保护。描述并要求保护其它示例。
保护写入非易失性存储器系统关键数据相关技术

[发明专利]交叉点存储器控制-CN201680053247.7在审
发明人： R.W.曾;M.J.陶布;K.潘加尔;S.K.古利亚尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开涉及相变存储器控制。装置包括存储器控制器。存储器控制器包括字线（WL）控制模块和位线（BL）控制模块。存储器控制器至少部分地基于所接收的存储器地址来确定WL地址。存储器控制器还确定BL地址。装置还包括参数选择模块，所述参数选择模块至少部分地基于WL地址和/或BL地址中的至少一个来选择控制参数的值。
交叉点存储器控制

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