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[发明专利]量子加密存储装置-CN201910957442.8有效
发明人：周宗权;李传锋 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：一种量子加密存储装置，包括：样品腔(11)，用于装载存储晶体及滤波晶体并用于冷却存储晶体及滤波晶体至预设温度；激光控制系统(12)，用于产生控制光和信号光，实现所述信号光的基于自旋布居数锁定的量子存储；量子态编码及分析系统(13)，用于对信号光子实现量子态编码及分析；滤波系统(14)，用于抑制控制光引入的噪声，提取信号光子。该存储装置具有存储寿命长、信噪比高、抗干扰能力强等优点，设备简单且易于操作。
量子加密存储装置

[发明专利]一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案-CN202111021709.6有效
发明人：金威;程思莹;李翔;李亚茹;张毅博;张亚勋;张羽;刘志海;杨军;苑立波 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案。该多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案，包括“读、写、擦”激光输出模块、多芯光纤忆阻器、“读”多芯探测模块，其中多芯光纤忆阻器包括多芯光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。在多芯光纤端面后依次镀有光学相变材料薄膜和防氧化增反膜来构造多芯光纤忆阻器；各个纤芯中注入“擦、写”脉冲激光分别对各纤芯端面的光学相变材料的相态进行调控，不同相态下的光学相变材料反射率存在差异，通过“读”连续激光读取每个纤芯的存储状态，从而实现多芯非易失性全光存储。该多芯光纤忆阻器件基于空分复用理念提升单芯光纤非易失性存储的维度，可极大地提高通信、存储容量，突破当前普通单模光纤信息容量极限。
一种光纤器件方案

[发明专利]一种基于倏逝场的光纤忆阻单元-CN202111021714.7有效
发明人：金威;李翔;程思莹;李亚茹;张毅博;张亚勋;张羽;刘志海;杨军;苑立波 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于倏逝场的光纤忆阻单元。该基于倏逝场的光纤忆阻单元，包括单模光纤、光学相变材料薄膜和防氧化薄膜。其中，光学相变材料薄膜位于单模光纤侧面凹槽，在光学相变材料薄膜上方镀有防氧化薄膜。在该光纤忆阻单元中，纤芯中注入脉冲光通过倏逝场耦合至光纤相变材料薄膜上，实现其相态的调控，使得光纤忆阻单元的透射率发生变化，完成非易失性全光存储。该单模光纤忆阻单元可以作为一种光脉冲调控的光纤存储器件，其存储速率高、能耗低以及抗电磁干扰等，能良好的与当前光纤系统兼容，具备极大的应用潜力。
一种基于倏逝场光纤单元

[发明专利]一种光纤忆阻单元-CN202111020392.4有效
发明人：张羽;刘帅;金威;李翔;程思莹;李亚茹;张亚勋;刘志海;杨军;苑立波 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种光纤忆阻单元。该光纤忆阻单元，包括单模光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。其中，所述光学相变材料薄膜位于单模光纤端面，防氧化增反膜位于光学相变材料后。该单模光纤忆阻单元的反射率在脉冲光的加载下表现出有高低反射率的变化，并具有非易失性效应，实现非易失性全光存储。该单模光纤忆阻单元可以用作一种全光调控的光纤存储器件，具备存储速率高、能耗低以及抗电磁干扰等优点，能与光纤通信网络、光纤传感网络兼容，具有重要的应用潜力。
一种光纤单元

[发明专利]量子存储器设备及在其中存储和检索电磁辐射模式的方法-CN201780032823.4有效
发明人： K·卡奇马雷克;J·努尼;E·鲍姆;A·费兹包尔 -专利权人：牛津大学创新有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种量子存储器设备及在其中存储和检索电磁辐射模式的方法。一种量子存储器设备，包括原子系综(4)和电磁辐射信号源(10)，所述电磁辐射信号源(10)用于产生待存储的模式并且具有对应于该原子系综中的第一状态与第二状态之间的非共振跃迁的频率。该量子存储器设备还包括电磁辐射控制源(12)，以用于产生其频率对应于该原子系综中的第二状态与第三状态之间的非共振原子跃迁的电磁辐射；该第三状态具有比该第二状态更高的能量，该第二状态具有比该第一状态更高的能量。该信号源和该控制源产生该第一状态与该第三状态之间的跃迁的相干激发，使得该原子系综存储信号源模式，并且该控制源随后刺激从该原子系综发射所存储的模式。
量子存储器设备其中存储检索电磁辐射模式方法

[发明专利]基于像素取向的多层液晶光存储堆叠结构、及其信息写入与读取方法-CN202211598282.0在审
发明人：赵元安;莫之畅;欧少忠;王焜;王建国;刘晓凤;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：一种基于像素取向的多层液晶光存储堆叠结构、及其信息写入与读取方法，可根据读取光、信息图案设计并制备像素化的液晶取向区域，并根据逆向设计的原理，将多层取向层堆叠形成透明的液晶光存储器，通过偏振片和显微镜配合读取信息图案。本发明利用光的偏振信息进行信息存储，对可见光、红外等波段的读取光在传输阶段光能损失小；堆叠层数远大于传统的光存储技术，在空间利用率上有数量级的提升；且便于封装，材料的耐高温、耐酸碱等性能高于普通光存储使用的光盘，利于长久使用。
基于像素取向多层液晶存储堆叠结构及其信息写入读取方法

[发明专利]一种高光敏性和优异偏振特性TAPMP光致聚合物全息存储材料及其制备方法-CN202211482674.0在审
发明人：李金泓;谭小地;胡坡;林枭 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光敏性和优异偏振特性TAPMP光致聚合物全息存储材料，在PQ/PMMA光致聚合物基础上，添加了三乙醇胺、单体丙烯酰胺和亚甲基双丙烯酰胺；其中MBA在热聚合阶段与PMMA长链反应生成具有更稳定的三维立体网状结构，单体AA作为共聚单体在光反应阶段在助光引发剂TEA的协助作用下直接与光敏剂PQ进行反应生成光产物，提升了PQ/PMMA材料的感光灵敏度，降低光致聚合物皱缩及提升材料的偏振性能，实现光致聚合物材料作为高光敏性偏振全息存储的优良介质。本发明的全息存储材料制备工艺简单、厚度值可达毫米量级且精准可控、光致收缩可忽略不计，成为偏振全息及数据存储领域应用中所需的核心记录材料。
一种光敏优异偏振特性 tapmp 聚合物全息存储材料及其制备方法

[发明专利]稀土掺杂Y2-CN202211225791.9在审
发明人：张成云;张正龙;郑海荣 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂Y2O3‑Au复合纳米材料作为非易失性自加密全光存储器的用途，利用局域表面等离激元共振效应的强光约束和超快的热响应特性，实现了基于稀土掺杂Y2O3‑Au复合纳米材料的非易失性自加密全光存储。在改变激发光功率时，该晶体可在两种稳定的发光状态之间快速切换，且两种状态之间具有超高的发光开关对比度(104)，仅通过改变辐照光的强度，便可实现光信息的写入、读取、擦除和加密的全部过程。不仅不需要多种频率的光源切换及电加热的擦除过程，且信息的加密在信息写入时即可同时完成，从而避免了额外的加密步骤。并且只有当光的频率和功率密度严格满足预定条件时，存储的信息才能被有效读出，这可以提高数据加密和防伪的安全性。
稀土掺杂 base sub

[发明专利]超快电脉冲发生与探测装置及其使用方法-CN202110435404.3有效
发明人：张博宇;蔡文龙;肖晨;魏家琦;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种超快电脉冲发生与探测装置及其使用方法，该超快电脉冲发生与探测装置包括：激光器和电脉冲发生器。该电脉冲发生器包括：光电材料层，包括一光控开关区，所述光控开关区用于响应所述激光器产生的激发光；绝缘层，形成于所述光电材料层上，其中，所述绝缘层与所述光控开关区对应的位置存在一开关结构，使所述光控开关区部分暴露或完全暴露；传输线，形成于所述绝缘层上。本发明的超快电脉冲发生与探测装置通过飞秒激发光对光电材料的激励，可以产生低至3.7ps的电脉冲，实现hGHz的信号产生。
电脉冲发生探测装置及其使用方法

[实用新型]光信息存储元件-CN202221849224.6有效
发明人：金永焕 -专利权人：青岛微海自动化设备有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本实用新型属于信息存储技术领域，具体提供一种光信息存储元件，旨在解决现有光信息存储元件无法更准确地存储和读取数据信息的问题。为此目的，本实用新型的光信息存储元件包括蓝宝石基片，所述蓝宝石基片的表面设置有光刻胶层，所述光刻胶层上能够被刻录出信息坑，所述蓝宝石基片通过所述信息坑记录并存储数据信息。由于本实用新型的光信息存储元件的蓝宝石基片具有透光率高、高速运转稳定性强、耐磨性好等优点，并且将信息坑刻录在蓝宝石基片表面的光刻胶层上，而不是直接刻录在强度极高的蓝宝石基片上，使得本实用新型的光信息存储元件能够达到更准确地存储和读取数据信息的效果。
信息存储元件

[发明专利]量子存储装置-CN202011305773.2在审
发明人：周宗权;马有志;靳明;李传锋 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本公开提供了一种量子存储装置，应用于量子信息技术领域，包括：光发生单元，用于分别产生所述存储单元和所述滤波单元所需的泵浦光，以及，待存储的信号光子，并将所述存储单元所需的泵浦光和所述信号光子输出给所述存储单元，将所述滤波单元所需的泵浦光输出给所述滤波单元；存储单元，用于根据所述存储单元所需的泵浦光实现泵浦，并在脉冲作用下，将所述信号光子存储并传输给所述滤波单元；滤波单元，用于根据所述滤波单元所需的泵浦光实现泵浦，并对所述信号光子进行滤波。
量子存储装置

[发明专利]一种双光束超分辨光学数据的写入/读出方法及装置-CN202110350093.0有效
发明人：甘棕松;王端;刘紫玉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明属于光学数据存储领域，更具体地，涉及一种双光束超分辨光学数据的写入/读出方法及装置。选择一个存储介质和一种用于写入/读出的数据阵列格式；将第一光源出射的第一读写光经过光路形成的第一光斑和第二光源出射的第二读写光经过光路形成的第二光斑在存储介质上发生部分重叠，重叠部分形成叠加光斑，以完成该数据阵列格式中的一个数据点或该数据阵列格式的一次性写入/读出；存储介质只有被所述第一光源和第二光源出射的两束光同时作用或先后作用后才能够发生性质的改变；若只有其中的一束光对该存储介质进行作用，其不能发生性质的改变；本发明采用利用双光束边缘光合并能量实现光学数据存储，提高分辨率，增大存储容量。
一种光束分辨光学数据写入读出方法装置

[发明专利]一种实用化多功能量子存储器-CN202111251048.6在审
发明人：杜镜松;李建锋;王云飞;苏柯宇;黄培生;张善超;颜辉 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种实用化多功能量子存储器，采用双腔结构真空系统实现超高真空下制备大光学厚度冷原子团，制备高光学厚度的原子团同时保证超高的真空背景，大大减弱单光子探测噪声；采用偏振梯度冷却技术，减小存储信号光和控制光的夹角，采用自旋波冻结技术，将存储寿命提高至ms量级，实现高效率的单光子存储，实现长寿命的单光子存储，可以实现最大效率超过90％，存储寿命达到ms量级的单光子存储，满足量子存储器实用化最为关键的两个条件；基于存储过程通过直接对控制光的相位进行调制实现对单光子的相位调制，可以实现最大效率超过90％，存储寿命达到ms量级的单光子存储，满足量子存储器实用化最为关键的两个条件。
一种实用多功能量子存储器

[发明专利]一种数据读写装置及电子设备-CN202010901414.7在审
发明人：徐佳;邹宇豪;徐君 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种数据读写装置及电子设备，涉及数据存储领域，能够提升数据读写的性能。该数据读写装置包括：第一激光器，用于根据控制信号输出第一光脉冲，该控制信号是根据待写入数据得到的信号；色散补偿器，用于对第一光脉冲做色散补偿以输出第二光脉冲；光纤透镜，通过光纤连接色散补偿器，用于将第二光脉冲聚焦至光存储介质，以将待写入数据写入所述光存储介质。
一种数据读写装置电子设备

[发明专利]一种利用光的颜色与反射进行数据运算并存储的芯片-CN202111235438.4在审
发明人：彭震远 -专利权人：彭震远
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，具体的说是一种利用光的颜色与反射进行数据运算并存储的芯片，包括光芯片，所述光芯片包括光存储装置、透镜、光芯片开关、光转电装置和凹凸镜；所述光存储装置，用于长时间维持存好的颜色，不变的新液体作为光存储的材料；所述透镜，用作于辨别光色，作为一种运作筛选结果的目的；所述光芯片开关，用于控制光的通过。本发明所述的一种利用光的颜色与反射进行数据运算并存储的芯片，通过将光学芯片与算法相结合，降低了漏洞的数量和发热量，同时，还降低了运算的错误率。此外，运算的苾片没有损耗，如果没有外部的破坏是不会坏的，使用寿命长，且通过控制光的温度即可对芯片的整体问题进行控制。
一种利用颜色反射进行数据运算存储芯片

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