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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储装置-CN201811239202.6有效
发明人：林菜昱;罗太熙;鲜于桢;李墉焌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。
存储装置

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN201811311090.0有效
发明人： 罗太熙;朴茂熙;李光振;李墉焌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元具有开关元件和数据存储元件，所述数据存储元件连接到所述开关元件并且包含相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器用于从所述多个存储单元获得第一读取电压，将第一写入电流输入到所述多个存储单元，然后从所述多个存储单元获得第二读取电压，其中所述存储控制器将所述多个存储单元中的第一存储单元的所述第一读取电压与所述第一存储单元的所述第二读取电压进行比较，以确定所述第一存储单元的状态。
存储装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置和存储器系统-CN201811408051.2有效
发明人：李墉焌;罗太熙;林菜昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置和一种存储器系统，存储器装置包括存储器单元阵列、写/读电路、控制电路和反熔丝阵列。存储器单元阵列包括多个非易失性存储器单元。写/读电路执行写操作以将写数据写入存储器单元阵列的目标页，通过将从目标页读取的读数据与写数据比较来验证写操作，并且基于比较结果输出指示写操作的通过或失败之一的通过/失败信号。控制电路控制写/读电路并且响应于通过/失败信号选择性地输出目标页的访问地址作为失败地址。对失败地址编程的反熔丝阵列输出替代失败地址的修复地址。
存储器装置系统

[发明专利]存储器装置和存储器模块-CN202010979075.4在审
发明人：金锺律;金真怜;罗太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置和一种存储器模块。存储器装置包括：存储器单元阵列，包括设置在多条字线和多条位线彼此交叉的区域中的多个存储器单元；行解码器，包括行开关并且被配置为对所述多条字线执行选择操作；列解码器，包括列开关并且被配置为对所述多条位线执行选择操作；以及控制逻辑，被配置为控制在数据读取操作中的字线预充电时段中将对被选字线执行的预充电操作，并且控制在位线预充电时段中将对被选位线执行的预充电操作，其中，连接到被选字线的行开关在位线预充电时段中被弱导通。
存储器装置模块

[发明专利]读干扰减少的存储器装置以及操作该存储器装置的方法-CN202010376743.4在审
发明人：金钟律;罗太熙;金杜应;白钟民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：存储器装置包括：存储单元阵列，其包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；行控制电路，其包括与字线相对应的多个行开关；列控制电路，其包括与位线相对应的多个列开关；以及控制逻辑电路，其被配置为在数据读操作期间控制对所选择的存储单元的字线和位线的预充电操作并且在预充电时段之后执行控制操作以将该字线和该位线一起浮置。该字线和该位线中的一者在预充电时段之后浮置，并且该字线和该位线中的另一者在预充电时段之后伪浮置。
干扰减少存储器装置以及操作方法

[发明专利]电阻式存储器设备-CN202010703366.0在审
发明人：李道田;罗太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了一种电阻式存储器设备。该电阻式存储器设备包括电连接到局部字线节点的电阻式存储器单元；局部字线晶体管，被配置为将局部字线节点电连接到全局字线节点；全局字线晶体管，被配置为将全局字线节点电连接到感测节点；以及裕度补偿电路，包括电连接到局部字线节点和全局字线节点的裕度补偿开关。
电阻存储器设备

[发明专利]存储装置及操作该存储装置的方法-CN202010693865.6在审
发明人：金钟律;罗太熙;金杜应;白钟民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：提供了一种存储装置及操作该存储装置的方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元均包括开关器件和具有相变材料的存储器件；译码器电路，所述译码器电路包括：将第一偏置电压输入到连接到选定存储单元的选定字线第一偏置电路，将第二偏置电压输入到选定位线的第二偏置电路，连接在所述第一偏置电路和所述选定字线之间的第一选择开关器件和第一非选择开关器件，以及连接在相邻字线和所述第一偏置电路之间的第二选择开关器件和第二非选择开关器件；控制逻辑，顺序地断开所述第一选择开关器件和所述第二非选择开关器件；以及读出放大器，将所述选定字线的电压与参考电压进行比较，以确定读取操作的数据。
存储装置操作方法

[发明专利]避免多次导通存储单元的存储器设备及其操作方法-CN202010445970.8在审
发明人：林智薰;金钟律;罗太熙;文卡塔拉曼纳·甘加萨尼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：连接到字线和位线的存储单元、将字线驱动至预充电电平的行驱动器、将位线驱动至第一目标电平的列驱动器、在第一目标电平施加到存储单元之后感测字线的第一感测电平的感测放大器、和读取控制电路，读取控制电路根据感测放大器感测到的第一感测电平控制列驱动器，以便选择性地将不同于第一目标电平的第二目标电平施加到存储单元。
避免多次通存单元存储器设备及其操作方法

[发明专利]具有增大的感测裕度的存储器装置-CN202010337657.2在审
发明人：曹溶成;罗太熙;辛埈昊;平野诚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括设置在字线与位线相交的点处的存储器单元；第一解码器电路，其确定位线之中的被选择的位线和未选择的位线；第二解码器电路，其确定字线之中的被选择的字线和未选择的字线；电流补偿电路，其提供电流路径，所述电流路径从被选择的字线汲取补偿电流以补偿未选择的位线中流动的截止电流；第一感测放大器，其将被选择的字线的电压与参考电压进行比较，并输出使能信号；以及第二感测放大器，其在存储器装置的读出操作模式下在由使能信号确定的操作时间期间输出被选择的字线的电压与参考电压之间的电压差。
具有增大感测裕度存储器装置

[发明专利]存储器设备及用于操作存储器设备的方法-CN202010253724.2在审
发明人：曹溶成;V.甘加萨尼;金喜源;罗太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了存储器设备及用于操作存储器设备的方法。该存储器设备包括：连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元；解码器电路，包括将第一偏置电压输入到被选择的字线的第一偏置电路、将第二偏置电压输入到被选择的位线的第二偏置电路、连接到被选择的字线的第一开关元件、以及连接在第一开关元件和第一偏置电路之间的第二开关元件；以及控制逻辑，被配置为当在第二偏置电压被输入到被选择的位线之后经过预定的延迟时间时，控制第一开关元件和第二开关元件。控制逻辑在第二开关元件导通时关断第一开关元件。
存储器设备用于操作方法

[发明专利]可变电阻存储器装置-CN202010075061.X在审
发明人：沈揆理;罗太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器装置，包括：沿第一方向布置的存储器单元堆叠，所述存储器单元堆叠包括第一存储器单元堆叠和第二存储器单元堆叠。存储器单元堆叠中的每一个包括多条字线和连接到多条字线中的每一条的存储器单元，多条字线中的每一条在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向布置。存储器单元中的每一个包括开关元件和可变电阻元件。第一存储器单元堆叠的多条字线中的每一条在第一方向上具有第一厚度，第一厚度小于第二存储器单元堆叠的多条字线中的每一条在第一方向上的第二厚度。
可变电阻存储器装置

[发明专利]存储器设备-CN201910836317.1在审
发明人： V.甘加萨尼;罗太熙;B.A.詹尤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器设备包括：连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，该多个存储器单元中的每一个包括开关元件和信息存储元件，信息存储元件连接到开关元件并且包含相变材料；解码器电路，被配置为确定连接到所述多个存储器单元中的要读取数据的所选择的存储器单元的所选择的字线和所选择的位线；以及电流补偿电路，被配置为从所选择的字线去除泄漏电流，泄漏电流对应于在该多条位线当中的除所选择的位线之外的未选择的位线中流动的断态电流的和。
存储器设备

[发明专利]用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法-CN201910500204.4在审
发明人： V.冈加萨尼;金武星;罗太熙;辛埈昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法。一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括布置在多个字线和多个位线相交的点处的多个存储器单元；读出放大器，被配置为在存储器设备的读取操作模式中放大连接到多个存储器单元中的选择的存储器单元的选择的字线的电压与参考电压之间的电压差值；和漏电流补偿电路，被连接到选择的存储器单元与读出放大器之间的选择的字线路径并且被配置为在读取操作模式中补偿由连接到选择的字线的未选择的存储器单元生成的总漏电流。
存储器单元存储器设备字线存储器单元阵列读取操作模式读出放大器漏电流补偿电路参考电压关闭单元漏电流线路径个位配置相交

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201811375197.1在审
发明人：林菜昱;罗太熙;鲜于桢;李墉焌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至存储器单元，其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值，当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流，利用第一读电压确定第一状态，并且利用第二读电压确定第二状态。
存储器单元读电压数据存储元件存储器装置补偿电流开关元件存储器单元阵列存储器控制器输入补偿相变材料检测电阻申请

[发明专利]一种高钙镁硫化铜湿法提取铜的工艺-CN200810233717.5无效
发明人：王春云;段习科;傅业高;徐天任;罗太熙;白海龙;包昌良;张祖奇;张发苍;李峥 -专利权人：昆明金湖冶金有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C22B15/00 文献下载
摘要：本发明是一种高钙镁硫化铜湿法提取铜的工艺。利用矿物中大量氧化钙、氧化镁矿物吸收焙烧过程产生的二氧化硫气体，达到“自洁”焙烧的效果；利用原矿中和多余浸液与电积残液进行萃取，达到水平衡、酸平衡。同时充分利用铜精矿含硫，可不用增加额外燃料，同时硫转化为硫酸根，降低焙砂浸出酸耗，提高浸出率。克服了传统工艺的诸多缺点，又综合了湿法工艺的主要优点。试验结果得出铜酸浸出率＞99％、铜综合回收率＞96％、渣率＜40％、电积铜质量＞99.95％，技术指标均达到了国内先进水平，尾渣综合回收利用，实现环境友好。
一种高钙镁硫化铜湿法提取工艺

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