[发明专利]一种半导体器件电连接结构及其制造方法有效
申请号: | 201710377940.6 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN107275310B | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 周志健;朱二辉;陈磊;杨力建;于洋;邝国华 | 申请(专利权)人: | 广东合微集成电路技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 44332 广东莞信律师事务所 | 代理人: | 曾秋梅 |
地址: | 523808 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体器件电连接结构及其制造方法。所述的半导体器件电连接结构由顶层半导体材料、绝缘层和衬底半导体材料构成;绝缘层位于顶层半导体材料和衬底半导体材料之间;顶层半导体材料和衬底半导体材料为反相掺杂;在顶层半导体材料上设有掺杂区;通过掺杂区设有与衬底半导体材料连通的电连接孔;电连接孔内设有电连接层;衬底半导体材料上设有电隔离沟槽;被电隔离沟槽包围的衬底半导体材料与电连接层相连;衬底半导体材料上设电绝缘层;电绝缘层上设有电接触孔;电接触孔内形成有金属引脚。本发明解决了芯片后续三维(3D)封装的成本及工艺复杂度高、电连接结构制作工艺先后顺序灵活性差或成本高的问题;可用基于绝缘衬底上的硅(SOI)晶圆制作该电连接结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 连接 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件电连接结构,所述的半导体器件电连接结构由顶层半导体材料、绝缘层和衬底半导体材料构成;绝缘层位于顶层半导体材料和衬底半导体材料之间;其特征在于:/n顶层半导体材料和衬底半导体材料为反相掺杂;即当顶层半导体材料为N型掺杂时,衬底半导体材料为P型掺杂;当顶层半导体材料为P型掺杂时,衬底半导体材料为N型掺杂;/n在顶层半导体材料上设有掺杂区;通过掺杂区设有与衬底半导体材料连通的电连接孔;电连接孔内设有电连接层;电连接层材料为掺杂与顶层半导体材料掺杂相反的半导体导电材料;/n衬底半导体材料上设有电隔离沟槽;被电隔离沟槽包围的衬底半导体材料与电连接层相连;/n衬底半导体材料上设有电绝缘层;在电隔离沟槽包围的衬底半导体材料的电绝缘层上设有电接触孔;电接触孔内形成有金属并形成金属引脚。/n
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