[发明专利]三维集成电路结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710330721.2 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108878378A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈英儒;吴集锡;余振华;陈宪伟;陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/07;H01L21/56;H01L23/58 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种三维集成电路结构包括第一芯片、第二芯片、介电层以及密封环。第一芯片与第二芯片接合。介电层位于第二芯片上且环绕第一芯片。密封环位于第一芯片旁且贯穿介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 介电层 三维集成电路结构 密封环 芯片接合 环绕 贯穿 制造 | ||
【主权项】：
1.一种三维集成电路结构，其特征在于，包括：第一芯片；第二芯片，与所述第一芯片接合；介电层，位于所述第二芯片上且环绕所述第一芯片；以及密封环，位于所述第一芯片旁且贯穿所述介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710330721.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率模块及其制作方法以及空调器
- 下一篇：膜上芯片封装件
