[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201710321166.7 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107393877B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | O.黑尔蒙德;P.伊尔西格勒;S.施密特;H-J.舒尔策;M.赛德-施密特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L27/04;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制造包括支撑元件的半导体装置的方法和包括支撑元件的半导体装置。一种半导体装置(1)在半导体衬底部分(102)中包括功率晶体管(200)。半导体衬底部分(102)包括中心部分(135)和切口(140)，功率晶体管(200)的部件被布置在中心部分(135)中，中心部分(135)具有厚度d。半导体装置(1)还包括：支撑元件(352)，沿水平方向延伸并且设置在中心部分(135)的主表面(110、120)上方。支撑元件(352)在与半导体衬底部分(102)的主表面(110、120)相邻的一侧具有宽度t并且具有高度h，其中垂直于支撑元件的延伸方向测量t，其中0.1xh≤d≤4xh并且0.1xh≤t≤1.5xh。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置(1)，在半导体衬底部分(102)中包括功率晶体管(200)，半导体衬底部分(102)包括中心部分(135)和切口(140)，功率晶体管(200)的部件被布置在中心部分(135)中，中心部分(135)具有厚度d，半导体装置(1)还包括设置在中心部分(135)的主表面(110、120)上方的支撑元件(352)，支撑元件(352)在与半导体衬底部分(102)的主表面(110、120)相邻的一侧具有最小横向延伸部分t并且具有高度h，其中0.1 x h ≤ d ≤ 4 x h并且0.1 x h ≤ t ≤ 1.5 x h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710321166.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗冲击过载电路
- 下一篇：具有集成的电感器的IC封装体
