[发明专利]三维集成电路芯片的贯孔修复方法及修复系统在审
| 申请号： | 201710275907.2 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108735696A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;俞大立;黄泽 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/544 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维集成电路芯片的贯孔修复方法及修复系统，包括：提供彼此连通的至少两层芯片；芯片之间采用贯孔传输电学信号，同一电学信号对应于至少一贯孔，提供至少一性能良好的冗余贯孔；于出厂前，通过测试模块测试贯孔的连接性能，存储对应的修复信息于存储器；于芯片工作时，存储器基于所述修复信息产生控制信号，并通过逻辑运算，将无传输电学信号并且连接性能良好的冗余贯孔替代连接性能不良的贯孔，传输原电学信号，以实现贯孔修复、降低冗余。 | ||
| 搜索关键词： | 贯孔 电学信号 芯片 修复 连接性能 冗余 三维集成电路 存储器 修复系统 传输 测试模块 控制信号 逻辑运算 信息产生 两层 连通 出厂 存储 测试 替代 | ||
【主权项】：
1.一种三维集成电路芯片的贯孔修复方法，其特征在于，包括：提供彼此连通的至少两层芯片；芯片之间采用贯孔传输电学信号，同一电学信号对应于至少一贯孔，提供至少一性能良好的冗余贯孔；于出厂前，通过测试模块测试贯孔的连接性能，存储对应的修复信息于存储器；于芯片工作时，存储器基于所述修复信息产生控制信号，并通过逻辑运算，将无传输电学信号并且连接性能良好的冗余贯孔替代连接性能不良的贯孔，传输原电学信号，以实现贯孔修复、降低冗余。
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