[发明专利]功率半导体封装体及其应用有效
| 申请号： | 201710122190.8 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107154396B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | J·科西察;H·吉特尔;H·许贝尔;M·伦茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新;蔡洪贵 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体封装体包括参考电压端子、电源电压端子、相端子、第一功率晶体管和第二功率晶体管。所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 封装 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种功率半导体封装体，包括：参考电压端子；电源电压端子；相端子；第一功率晶体管；和第二功率晶体管，其中，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。
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