[发明专利]功率半导体封装体及其应用

说明书

一种功率半导体封装体包括参考电压端子、电源电压端子、相端子、第一功率晶体管和第二功率晶体管。所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。

技术领域

本公开总体上涉及半导体装置。更具体地，本公开涉及功率半导体封装体及其应用。

背景技术

功率半导体封装体可应用于例如汽车电子装置的各种技术领域和应用中。在汽车电子部件的运行期间，可出现损耗，这导致车辆的燃料消耗和排放的不期望的增加。必须不断地改进功率半导体及它们的封装体。特别地，可令人期望的是提高汽车电子部件的效率，以便减少燃料消耗和排放。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种功率半导体封装体，包括：参考电压端子；电源电压端子；相端子；第一功率晶体管；和第二功率晶体管，其中，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。

根据本发明的一个可选实施例，所述电源电压端子电耦接至所述第一功率晶体管的漏极电极，所述参考电压端子电耦接至所述第二功率晶体管的源极电极，并且所述相端子在所述第一功率晶体管的源极电极与所述第二功率晶体管的漏极电极之间电互连。

根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体还包括：被配置用来控制所述第一功率晶体管的栅极电极的第一控制器；和被配置用来控制所述第二功率晶体管的栅极电极的第二控制器。

根据本发明的一个可选实施例，所述第一控制器在所述第一功率晶体管的所述栅极电极与所述参考电压端子之间互连，并且所述第二控制器在所述第二功率晶体管的所述栅极电极与所述电源电压端子之间互连。

根据本发明的一个可选实施例，所述第一控制器和所述第二控制器中的每个被配置成：基于施加到所述电源电压端子的电源电压与施加到所述参考电压端子的参考电压之间的电势差来被供电。

根据本发明的一个可选实施例，所述第一控制器和所述第二控制器的电源独立于封装体内部功率源。

根据本发明的一个可选实施例，所述第一控制器和所述第一功率晶体管单片集成在第一半导体芯片中，并且所述第二控制器和所述第二功率晶体管单片集成在第二半导体芯片中。

根据本发明的一个可选实施例，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在竖直方向上彼此堆叠。

根据本发明的一个可选实施例，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在横向方向上偏移。

根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体还包括：将所述参考电压端子与所述第一半导体芯片电耦接的第一电耦接元件，其中，所述第一电耦接元件被布置成横向相对于所述第二半导体芯片偏移，并且在所述竖直方向上延伸；和将所述电源电压端子与所述第二半导体芯片电耦接的第二电耦接元件，其中，所述第二电耦接元件被布置成横向相对于所述第一半导体芯片偏移，并且在所述竖直方向上延伸。

根据本发明的一个可选实施例，所述第一电耦接元件和所述第二电耦接元件中的至少一个包括管脚。

根据本发明的一个可选实施例，所述电源电压端子和所述相端子中的每个包括管脚。

根据本发明的一个可选实施例，所述参考电压端子包括基板。

根据本发明的一个可选实施例，所述参考电压端子、所述电源电压端子和所述相端子中的每个都能够从所述功率半导体封装体的外部接触到。

根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体是3端子封装体。

根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体是压配式封装体。

根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体被配置成作为多相整流器的支路运行。