[发明专利]用于制造FINFET半导体装置的鳍片切割制程有效
| 申请号： | 201710106850.3 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN107134411B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | G·J·戴德里安 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造FINFET半导体装置的鳍片切割制程，本文中所揭示的一种说明性方法包括形成由多个原始线型特征所构成的原始鳍片形成蚀刻掩膜，以及移除该多个原始线型特征其中至少一者的至少一部分，以便由此界定包含该多个原始线型特征的其余部分的修改后鳍片形成蚀刻掩膜。该方法亦包括在该修改后鳍片形成蚀刻掩膜的该多个原始线型特征的所述其余部分上形成保形材料层，以及进行至少一个蚀刻程序以移除至少部分该保形材料层，并且界定多个鳍片形成沟槽，以便由此在衬底中初始界定多个鳍片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 finfet 半导体 装置 切割 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包含：在半导体衬底上面形成原始鳍片形成蚀刻掩膜，该原始鳍片形成蚀刻掩膜包含多个原始线型特征；移除该多个原始线型特征其中至少一者的至少一部分，以便由此界定包含该多个原始线型特征的其余部分的修改后鳍片形成蚀刻掩膜；在该修改后鳍片形成蚀刻掩膜的该多个原始线型特征的所述其余部分上形成保形材料层；以及进行至少一个蚀刻程序以移除至少部分该保形材料层，并且界定多个鳍片形成沟槽，以便由此在该衬底中初始界定多个鳍片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
