[发明专利]用于制造FINFET半导体装置的鳍片切割制程

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包含：

在半导体衬底上面形成原始鳍片形成蚀刻掩膜，该原始鳍片形成蚀刻掩膜包含多个原始线型特征；

移除该多个原始线型特征其中至少一者的至少一部分，以便由此界定包含该多个原始线型特征的其余部分的修改后鳍片形成蚀刻掩膜；

在该修改后鳍片形成蚀刻掩膜的该多个原始线型特征的所述其余部分上形成保形材料层；以及

进行至少一个蚀刻程序以移除至少部分该保形材料层，并且界定多个鳍片形成沟槽，以便由此在该衬底中初始界定多个鳍片。

2.如权利要求1所述的方法，其中，移除该多个原始线型特征其中至少一者的至少一部分，以便由此界定修改后鳍片形成蚀刻掩膜包含：

在该原始鳍片形成蚀刻掩膜上面形成图案化蚀刻掩膜，该图案化蚀刻掩膜包含使该多个原始线型特征其中至少一者的至少一部分曝露的开口；以及

透过该图案化蚀刻掩膜中的该开口进行蚀刻程序以移除该多个原始线型特征的该至少一者的该曝露部分。

3.如权利要求1所述的方法，其中，形成该保形材料层包含进行原子层沉积程序以形成该保形材料层。

4.如权利要求1所述的方法，其中，进行该至少一个蚀刻程序以移除至少部分该保形材料层并界定该多个鳍片形成沟槽包含进行该至少一个蚀刻程序，使得该保形材料层全都在该至少一个蚀刻程序期间消耗掉。

5.如权利要求1所述的方法，其中，进行该至少一个蚀刻程序以移除至少部分该保形材料层并界定该多个鳍片形成沟槽包含进行该至少一个蚀刻程序，使得部分该保形材料层在完成该至少一个蚀刻程序之后，维持相邻该修改后鳍片形成蚀刻掩膜的该多个原始线型特征的侧壁而置。

6.如权利要求1所述的方法，其中，进行该至少一个蚀刻程序以移除至少部分该保形材料层并界定该多个鳍片形成沟槽包含：

进行第一蚀刻程序以移除至少一部分该保形材料层，以便曝露至少一部分该衬底；以及

进行第二蚀刻程序以移除该衬底的至少该曝露部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该第一蚀刻程序是在第一蚀刻室中进行，而该第二蚀刻程序是在与该第一蚀刻室不同的第二蚀刻室中进行。

8.如权利要求6所述的方法，其中，该第一蚀刻程序及该第二蚀刻程序是在单一蚀刻室中以背对背方式进行，该衬底在该第一蚀刻程序与该第二蚀刻程序两者期间置于该单一蚀刻室中。

9.一种制造半导体装置的方法，该方法包含：

在半导体衬底上面形成原始鳍片形成蚀刻掩膜，该原始鳍片形成蚀刻掩膜包含多个原始线型特征，该多个原始线型特征在待形成于该衬底中的多个鳍片的上表面处具有比目标横向宽度更小的第一横向宽度；

移除该多个原始线型特征其中至少一者的至少一部分，以便由此界定包含该多个原始线型特征的其余部分的修改后鳍片形成蚀刻掩膜；

进行至少一个程序操作以将材料添增至该修改后鳍片形成蚀刻掩膜的该多个原始线型特征的所述其余部分的侧壁，以便形成具有比该第一横向宽度更大的第二横向宽度的多个修改后线型特征、并且使部分该衬底曝露；以及

形成该多个修改后线型特征之后，透过该多个修改后线型特征进行衬底蚀刻程序以移除该衬底的至少所述曝露部分，并且由此在该衬底中界定多个鳍片形成沟槽，其初始界定该衬底中的该多个鳍片。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该第二横向宽度比该多个鳍片的该目标横向宽度更大。

11.如权利要求9所述的方法，其中，移除该多个原始线型特征其中至少一者的至少一部分，以便由此界定该修改后鳍片形成蚀刻掩膜包含：

在该原始鳍片形成蚀刻掩膜上面形成图案化蚀刻掩膜，该图案化蚀刻掩膜包含使该多个原始线型特征其中至少一者的至少一部分曝露的开口；以及

透过该图案化蚀刻掩膜中的该开口进行蚀刻程序以移除该多个原始线型特征的至少一者的该曝露部分。