[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底以及位于衬底上分立的鳍部，鳍部延伸方向为第一方向，沿衬底表面与第一方向相垂直的为第二方向；在鳍部露出的衬底上形成覆盖鳍部部分侧壁的隔离结构；在隔离结构露出的鳍部侧壁上形成保护层；形成横跨鳍部的介质层，介质层覆盖部分鳍部顶部和部分保护层，介质层内具有第一开口；以保护层为掩膜沿第二方向刻蚀第一开口露出的部分厚度鳍部，在鳍部内形成鳍部凹槽；在第一开口和鳍部凹槽内填充栅极层；形成栅极层后，去除介质层；在栅极层两侧鳍部内形成源漏掺杂区。本发明栅极层还位于鳍部凹槽内，提高了栅极层对沟道的包覆能力，从而提高半导体结构的栅极结构对沟道的控制能力，改善短沟道效应。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述鳍部的延伸方向为第一方向，沿所述衬底表面与所述第一方向相垂直的为第二方向；在所述鳍部露出的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离结构的顶部低于所述鳍部的顶部；在所述隔离结构露出的鳍部侧壁上形成保护层，所述保护层的材料与所述鳍部的材料不相同，且所述保护层的材料与所述隔离结构的材料不相同；形成横跨所述鳍部的图形化的介质层，所述介质层覆盖部分所述鳍部顶部，且还覆盖部分位于所述鳍部侧壁上的保护层，所述介质层内具有贯穿所述介质层的第一开口；以所述保护层为掩膜，沿所述第二方向刻蚀所述第一开口露出的部分厚度的所述鳍部，在所述鳍部内形成鳍部凹槽；在所述第一开口和鳍部凹槽内填充栅极层；形成所述栅极层后，去除所述介质层；去除所述介质层后，在所述栅极层两侧的鳍部内形成源漏掺杂区。