[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述鳍部的延伸方向为第一方向，沿所述衬底表面与所述第一方向相垂直的为第二方向；

在所述鳍部露出的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离结构的顶部低于所述鳍部的顶部；

在所述隔离结构露出的鳍部侧壁上形成保护层，所述保护层的材料与所述鳍部的材料不相同，且所述保护层的材料与所述隔离结构的材料不相同；

形成横跨所述鳍部的图形化的介质层，所述介质层覆盖部分所述鳍部顶部，且还覆盖部分位于所述鳍部侧壁上的保护层，所述介质层内具有贯穿所述介质层的第一开口；

以所述保护层为掩膜，沿所述第二方向刻蚀所述第一开口露出的部分厚度的所述鳍部，在所述鳍部内形成鳍部凹槽，所述鳍部凹槽在所述鳍部沿所述第一方向上的截面中是离散的；在所述第一开口和鳍部凹槽内填充栅极层；

形成所述栅极层后，去除所述介质层；

去除所述介质层后，在所述栅极层两侧的鳍部内形成源漏掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部凹槽和所述隔离结构露出的鳍部沿所述第二方向的剖面形状为Ω形。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述第二方向上，所述鳍部凹槽的深度占所述鳍部宽度的比例为20％至30％。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述第二方向刻蚀部分厚度的所述鳍部的工艺为湿法刻蚀工艺。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为NH₃溶液或四甲基氢氧化氨溶液，刻蚀时间为20秒至30秒，刻蚀溶液温度为60℃至70℃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为至

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺为原子层沉积工艺。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离结构露出的鳍部侧壁上形成保护层的步骤中，所述保护层还覆盖所述鳍部顶部以及隔离结构顶部；

形成所述介质层的步骤中，所述介质层还覆盖部分位于所述鳍部顶部上的保护层，且还覆盖部分所述隔离结构顶部的保护层；

形成所述介质层后，在所述鳍部内形成鳍部凹槽之前，所述形成方法还包括：去除所述第一开口露出的隔离结构上的保护层，露出所述隔离结构顶部；

形成所述鳍部凹槽后，形成所述栅极层之前，所述形成方法还包括：去除所述第一开口露出的剩余保护层；

去除所述介质层后，在所述栅极层两侧的鳍部内形成源漏掺杂区之前，所述形成方法还包括：去除所述栅极层露出的剩余保护层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一开口露出的隔离结构上的保护层的步骤中，去除所述保护层的工艺为干法刻蚀工艺。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一开口露出的剩余保护层的步骤中，去除所述剩余保护层的工艺为干法刻蚀工艺。