[发明专利]封装堆叠构造及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710090714.X 申请日: 2017-02-20
公开(公告)号: CN108461454B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 王启安;徐宏欣;陈裕纬 申请(专利权)人: 力成科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种封装堆叠构造,包括第一封装结构、中介层、导热层以及第二封装结构。第一封装结构包括第一芯片以及第一绝缘密封体。第一绝缘密封体密封第一芯片且暴露出第一芯片的上表面。中介层配置在第一封装结构上,且与第一封装结构电性连接。导热层夹置在第一封装结构与中介层之间,且覆盖第一芯片的至少部分上表面。导热层与第一芯片以及中介层直接接触。第二封装结构配置在中介层上,且与中介层电性连接。本发明还提供一种封装堆叠构造的制造方法。本发明提供的封装堆叠构造及其制造方法能够有效地提升散热效率并防止接点断裂等问题。
搜索关键词: 封装 堆叠 构造 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种封装堆叠构造,其特征在于,包括:第一封装结构,包括第一芯片以及第一绝缘密封体,其中所述第一绝缘密封体密封所述第一芯片且暴露出所述第一芯片的上表面;中介层,配置在所述第一封装结构上,且与所述第一封装结构电性连接;导热层,夹置在所述第一封装结构与所述中介层之间,且覆盖所述第一芯片的至少部分所述上表面,其中所述导热层与所述第一芯片以及所述中介层直接接触;以及第二封装结构,配置在所述中介层上,且与所述中介层电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力成科技股份有限公司,未经力成科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710090714.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top