[发明专利]封装堆叠构造及其制造方法

说明书

本发明提供一种封装堆叠构造，包括第一封装结构、中介层、导热层以及第二封装结构。第一封装结构包括第一芯片以及第一绝缘密封体。第一绝缘密封体密封第一芯片且暴露出第一芯片的上表面。中介层配置在第一封装结构上，且与第一封装结构电性连接。导热层夹置在第一封装结构与中介层之间，且覆盖第一芯片的至少部分上表面。导热层与第一芯片以及中介层直接接触。第二封装结构配置在中介层上，且与中介层电性连接。本发明还提供一种封装堆叠构造的制造方法。本发明提供的封装堆叠构造及其制造方法能够有效地提升散热效率并防止接点断裂等问题。

技术领域

本发明涉及一种封装堆叠构造及其制造方法，尤其涉及一种具有导热层的封装堆叠构造及其制造方法。

背景技术

近年来，集成电路的整合度(integration)不断提升。随着封装件的体积越来越小，多芯片堆叠的半导体封装结构，例如堆叠式封装(package on package，PoP)的应用也快速地成长。

堆叠式封装是将不同的芯片封装单元相互堆叠，并在这些芯片封装单元之间夹置中介层。举例来说，将存储芯片封装单元堆叠在中介层上，并在中介层上堆叠逻辑芯片封装单元。在现有的封装叠加制程中，中介层与下层封装结构之间具有间隙，而使得封装结构中的芯片外露与空气接触。然而，由于空气的对流现象不易散热，故会导致芯片过热而使得芯片处理速度变慢。此外，中介层与下层封装结构之间的间隙会使得堆叠式封装结构在信赖性测试中容易产生接点断裂(crack)的现象。

发明内容

本发明提供一种封装堆叠构造及其制造方法，能够有效地提升散热效率并防止接点断裂等问题。

本发明提供一种封装堆叠构造，其包括第一封装结构、中介层、导热层以及第二封装结构。第一封装结构包括第一芯片以及第一绝缘密封体。第一绝缘密封体密封第一芯片且暴露出第一芯片的上表面。中介层配置在第一封装结构上，且与第一封装结构电性连接。导热层夹置在第一封装结构与中介层之间，且覆盖第一芯片的至少部分上表面。导热层与第一芯片以及中介层直接接触。第二封装结构配置在中介层上，且与中介层电性连接。

本发明提供一种封装堆叠构造的制造方法，其至少包括以下步骤。首先，形成第一封装结构，其中第一封装结构包括第一芯片以及第一绝缘密封体，第一绝缘密封体密封第一芯片且暴露出第一芯片的上表面。接着，在第一芯片的至少部分上表面上形成导热层。然后，在导热层以及第一封装结构上形成中介层，其中中介层与第一封装结构电性连接，且导热层夹置在第一封装结构与中介层之间，并与第一芯片以及中介层直接接触。在中介层上形成第二封装结构，其中第二封装结构与中介层电性连接。

基于上述，通过将导热层填入第一封装结构与中介层之间的间隙，能够使得第一封装结构中的第一芯片所产生的热能通过导热层传导并散热，因而大幅提升封装堆叠构造的散热效率。此外，由于导热层与第一芯片以及中介层直接接触，在进行信赖性测试时，导热层可以分散中介层导电端子接收到的应力，故可以防止封装堆叠构造接点断裂的问题。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1H是依照本发明一实施例的一种封装堆叠构造的制造过程的剖面示意图。

图2是依照本发明另一实施例的一种封装堆叠构造的剖面示意图。

图3是依照本发明再一实施例的一种封装堆叠构造的剖面示意图。

附图标记说明

10、20、30：封装堆叠构造；

100：第一封装结构；

110：第一载板；

112：第一核心层；

114：第一线路层；