[发明专利]硅片的制作方法在审
| 申请号： | 201710068794.9 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108400081A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 赵厚莹 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅片的制作方法，其包括以下步骤：提供一硅片；对硅片的第一面和第二面同时进行磨削，硅片的第一面和第二面均形成由边缘至中心逐渐增厚的形貌；将所述硅片吸附于一吸盘装置，所述硅片的第二面与所述吸盘装置接触，对所述硅片的第一面进行研磨；将所述硅片翻转并吸附于所述吸盘装置，所述硅片的第一面与所述吸盘装置接触，对所述硅片的第二面进行研磨，形成碗状结构的硅片；对硅片的第一面和第二面同时进行平坦化；在硅片的第一面或第二面上外延生长外延层。本发明解决了传统工艺在硅片上生长外延层时，得到的硅片中间凸起或者凹陷的问题，同时消除了切割硅片时产生的波纹状纳米形貌，而且较现有技术有更好的局部与整体平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 第二面 吸盘装置 研磨 外延层 吸附 形貌 传统工艺 硅片翻转 纳米形貌 外延生长 碗状结构 中间凸起 逐渐增厚 波纹状 平坦度 平坦化 凹陷 磨削 制作 切割 生长 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅片；对所述硅片的第一面和第二面同时进行磨削，所述硅片的第一面和第二面均形成由边缘至中心逐渐增厚的形貌；将所述硅片吸附于一吸盘装置，所述硅片的第二面与所述吸盘装置接触，对所述硅片的第一面进行研磨；将所述硅片翻转并吸附于所述吸盘装置，所述硅片的第一面与所述吸盘装置接触，对所述硅片的第二面进行研磨，形成碗状结构的硅片；对所述硅片的第一面和第二面同时进行平坦化；在所述硅片的第一面或第二面上外延生长外延层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710068794.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
