[发明专利]硅片的制作方法

权利要求书

1.一种硅片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一硅片；

对所述硅片的第一面和第二面同时进行磨削，所述硅片的第一面和第二面均形成由边缘至中心逐渐增厚的形貌；

将所述硅片吸附于一吸盘装置，所述硅片的第二面与所述吸盘装置接触，对所述硅片的第一面进行研磨；

将所述硅片翻转并吸附于所述吸盘装置，所述硅片的第一面与所述吸盘装置接触，对所述硅片的第二面进行研磨，形成碗状结构的硅片；

对所述硅片的第一面和第二面同时进行平坦化；

在所述硅片的第一面或第二面上外延生长外延层。

2.如权利要求1所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第一面和第二面同时进行平坦化之后，还包括：

对所述硅片的第一面进行最终平坦化，所述外延层外延生长于所述硅片的第一面上。

3.如权利要求2所述硅片的制作方法，其特征在于，所述硅片的第一面的中心凹陷，所述硅片的第二面的中心凸起，所述外延层外延生长时形成由边缘至中心逐渐凸起的形貌。

4.如权利要求1所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第一面和第二面同时进行平坦化之后，还包括：

对所述硅片的第二面进行最终平坦化，所述外延层外延生长于所述硅片的第二面上。

5.如权利要求4所述硅片的制作方法，其特征在于，所述硅片的第一面的中心凹陷，所述硅片的第二面的中心凸起，所述外延层外延生长时形成由边缘至中心逐渐凹陷的形貌。

6.如权利要求1所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第一面和第二面同时进行磨削的步骤中，采用研磨轮对所述硅片进行物理研磨。

7.如权利要求6所述硅片的制作方法，其特征在于，所述研磨轮的直径大于或者等于所述硅片的半径。

8.如权利要求1所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第一面和第二面同时进行平坦化的步骤中，采用化学机械抛光工艺对所述硅片的第一面和第二面同时进行平坦化。

9.如权利要求1～8中任意一项所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第一面和第二面同时进行磨削之前或者之后，还包括一磨边工艺。

10.如权利要求1～8中任意一项所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第一面和第二面同时进行磨削之前和/或之后，还包括一湿法清洗工艺。

11.如权利要求1～8中任意一项所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第二面进行研磨之后，还包括一湿法刻蚀工艺。

12.如权利要求1～8中任意一项所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第一面和第二面同时进行平坦化之前，还包括一边缘平坦化工艺。

13.如权利要求12所述硅片的制作方法，其特征在于，在所述边缘平坦化工艺之后，还包括一湿法清洗工艺。

14.如权利要求1～8中任意一项所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第一面和第二面同时进行平坦化之后，还包括一边缘平坦化工艺。

15.如权利要求14所述硅片的制作方法，其特征在于，在所述边缘平坦化工艺之后，还包括一湿法清洗工艺。

16.如权利要求1～8中任意一项所述硅片的制作方法，其特征在于，对所述硅片的第一面和第二面同时进行平坦化之后，还包括一湿法清洗工艺。

17.如权利要求2或4所述硅片的制作方法，其特征在于，在所述最终平坦化之后，还包括一湿法清洗工艺。