[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201710035984.0 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108321137A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王亚平;费春潮;江博渊;陆丽辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘，在所述焊盘内形成狭缝，所述狭缝位于所述引线焊球作用力区域中。该半导体器件的制作方法通过在焊盘上待焊接引线焊球的区域形成狭缝，来横向分散引线键合的作用力，从而降低在引线键合过程中金属互连层承受的作用力，避免内部金属互连层由于引线键合断裂而导致器件失效。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子装置 引线键合 焊盘 狭缝 金属互连层 制作 焊球 晶圆 焊接引线 横向分散 器件失效 区域形成 断裂 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘，在所述焊盘内形成狭缝，所述狭缝位于引线焊球作用力区域中。
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