[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘，在所述焊盘内形成狭缝，所述狭缝位于所述引线焊球作用力区域中。该半导体器件的制作方法通过在焊盘上待焊接引线焊球的区域形成狭缝，来横向分散引线键合的作用力，从而降低在引线键合过程中金属互连层承受的作用力，避免内部金属互连层由于引线键合断裂而导致器件失效。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。

背景技术

在集成电路的封装互连中，半导体器件(比如，芯片)和封装基板(比如，引线框架)的连接为电源和信号的分配提供了电路连接。电子封装常见的连接方法有引线键合(WireBonding，WB)、载带自动焊(TAPE Automated Bonding TAB)与倒装芯片(Flip chip，FC)。引线键合作为常用的封装工艺得到了广泛的应用，其中一个引线键合过程例如为：将金属线垂直插入焊接头内，引线前端在氢气火焰作用下形成熔融球，接着焊接头线将引线焊球压在芯片焊盘表面与金属线焊接。然后焊接头回缩并将金属线弯到引线尖端上，利用加热与施加方式让金属线与引线尖端完成焊接。当焊接头移开时，线夹随即关闭并利用强大的伸展应力切断金属线。如图1A～图1C所示，其示出了引线键合完成后的焊盘100与引线焊球101的结构示意图，在键合过程中会在焊盘100上形成作用力痕迹103。

在目前的引线键合过程中，为了使铜线与铝焊盘相结合，在引线键合过程中往往会加大参数，这样对焊盘的作用力越来越大，在力的传导过程中，导致内部金属互连层承受不住而断裂，使得芯片失效。

因此，需要提出一种改进的半导体器件及其制作方法，以至少部分地解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件及其制作方法，其可以克服目前引线键合过程中作用力导致的内部金属互连层断裂使芯片失效的问题。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘，在所述焊盘内形成狭缝，所述狭缝位于引线焊球作用力区域中。

进一步地，所述狭缝沿所述引线焊球的作用力痕迹延伸方向延伸，并且在所述焊盘的厚度方向，所述狭缝贯通所述焊盘。

进一步地，所述狭缝沿所述延伸方向的尺寸等于所述焊盘在所述延伸方向的尺寸，使得所述焊盘被所述狭缝分割为两部分。

进一步地，所述狭缝沿所述延伸方向的尺寸大于等于所述引线焊球在所述延伸方向的尺寸，并且小于所述焊盘在所述延伸方向的尺寸。

进一步地，所述狭缝在与所述延伸方向垂直的方向上的尺寸等于所述引线焊球的作用力痕迹的线径减去2倍引线键合的偏移量。

进一步地，所述引线键合的偏移量为0um～2um。

进一步地，所述焊盘的厚度大于等于1.5um。

根据本发明的半导体器件的制作方法，通过在焊盘上待焊接引线焊球的区域形成狭缝，来横向分散引线键合的作用力，从而降低在引线键合过程中金属互连层承受的作用力，避免内部金属互连层由于引线键合断裂而导致器件失效。

本发明又一方面提供一种半导体器件，其包括：器件晶圆，在所述器件晶圆上形成有焊盘，在所述焊盘内形成有狭缝，所述狭缝位于引线焊球作用力区域中。

进一步地，所述狭缝沿所述引线焊球的作用力痕迹延伸方向延伸，并且在所述焊盘的厚度方向，所述狭缝贯通所述焊盘。