[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201710035984.0 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108321137A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王亚平;费春潮;江博渊;陆丽辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子装置 引线键合 焊盘 狭缝 金属互连层 制作 焊球 晶圆 焊接引线 横向分散 器件失效 区域形成 断裂 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘，在所述焊盘内形成狭缝，所述狭缝位于引线焊球作用力区域中。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述狭缝沿所述引线焊球的作用力痕迹延伸方向延伸，并且在所述焊盘的厚度方向，所述狭缝贯通所述焊盘。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述狭缝沿所述延伸方向的尺寸等于所述焊盘在所述延伸方向的尺寸，使得所述焊盘被所述狭缝分割为两部分。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述狭缝沿所述延伸方向的尺寸大于等于所述引线焊球在所述延伸方向的尺寸，并且小于所述焊盘在所述延伸方向的尺寸。
5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述狭缝在与所述延伸方向垂直的方向上的尺寸等于所述引线焊球的作用力痕迹的线径减去2倍引线键合的偏移量。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述引线键合的偏移量为0um～2um。
7.根据权利要求1-6中的任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述焊盘的厚度大于等于1.5um。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：器件晶圆，在所述器件晶圆上形成有焊盘，在所述焊盘内形成有狭缝，所述狭缝位于引线焊球作用力区域中。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述狭缝沿所述引线焊球的作用力痕迹延伸方向延伸，并且在所述焊盘的厚度方向，所述狭缝贯通所述焊盘。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述狭缝沿所述延伸方向的尺寸等于所述焊盘在所述延伸方向的尺寸，使得所述焊盘被所述狭缝分割为两部分。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述狭缝沿所述延伸方向的尺寸大于等于所述引线焊球在所述延伸方向的尺寸，并且小于所述焊盘在所述延伸方向的尺寸。
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述狭缝在与所述延伸方向垂直的方向上的尺寸等于所述引线焊球的作用力痕迹的线径减去2倍引线键合的偏移量。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述引线键合的偏移量为0um～2um。
14.根据权利要求8-12中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘的厚度大于等于1.5um。
15.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求8-14中的任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的及电子组件。
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