[发明专利]一种后栅无结与非门闪存存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种后栅无结与非门闪存存储器及其制作方法，所述存储器包括：衬底、绝缘层、二维半导体材料沟道层、碳纳米管栅阵列、栅俘获结构、保护层、源接触电极和漏接触电极。所述栅俘获结构包括隧道层、电荷俘获层及阻挡层，其中，所述隧道层位于所述沟道层之上，所述阻挡层环绕所述碳纳米管栅阵列中碳纳米管的外侧面，所述电荷俘获层包括环绕所述阻挡层外侧面的第一部分及位于所述隧道层之上并与所述第一部分接触的第二部分。本发明的后栅无结与非门闪存存储器采用二维半导体材料水平沟道，并采用了金属性碳纳米管栅阵列，且阻挡层及电荷俘获层环绕碳纳米管栅，不仅可以简化器件结构，提高存储单元密度，还可以获得更强的栅极电荷俘获性能。

主权项

1.一种后栅无结与非门闪存存储器，其特征在于，包括：衬底；绝缘层，位于所述衬底之上；沟道层，位于所述绝缘层之上，采用二维半导体材料；碳纳米管栅阵列，悬设于所述沟道层上方，包括若干分立设置的碳纳米管，所述碳纳米管作为存储器中晶体管的栅电极；栅俘获结构，包括隧道层、电荷俘获层及阻挡层；其中，所述隧道层位于所述沟道层之上，所述阻挡层环绕所述碳纳米管外侧面，所述电荷俘获层包括环绕所述阻挡层外侧面的第一部分及位于所述隧道层之上并与所述第一部分接触的第二部分；保护层，覆盖所述栅俘获结构；源接触电极和漏接触电极，分别位于所述碳纳米管栅阵列两端，并分别与所述沟道层连接。