[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201680068300.0 申请日: 2016-09-16
公开(公告)号: CN108370250B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 神田泰夫;横山孝司 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8244;H01L21/8246;H01L27/04;H01L27/105;H01L27/11;H01L29/82;H01L43/08;H01L45/00;H01L49/00;H03K19/0948
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 韩晓薇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本技术涉及能够提高成品率的半导体装置。本发明的易失性存储电路具有存储节点,并且存储输入的信息。多个非易失性元件通过相同的连接门连接到易失性存储电路的存储节点,并且用于控制非易失性元件的控制线分别连接到非易失性元件。这样,非易失性元件通过相同的连接门连接到易失性逻辑电路,从而提高成品率。本技术可适用于半导体装置。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:易失性逻辑电路;通过相同的连接门连接到所述易失性逻辑电路的多个非易失性元件;以及分别连接到相应的非易失性元件的多条控制线。
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