[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

易失性逻辑电路；

通过相同的连接门连接到所述易失性逻辑电路的多个非易失性元件；以及

分别连接到相应的非易失性元件的多条控制线，

其中所述多个非易失性元件包括用于冗余救济的非易失性元件和正常使用的非易失性元件，并且其中至少一个用于冗余救济的非易失性元件以及正常使用的非易失性元件彼此尺寸不同。

2.按照权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个非易失性元件通过所述连接门连接到所述易失性逻辑电路内的每个存储节点。

3.按照权利要求1所述的半导体装置，其中所述非易失性元件是铁磁隧道结元件或者电阻可变元件。

4.按照权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个非易失性元件设置在彼此不同的层中。

5.一种半导体装置，包括：

易失性存储元件；以及

多个非易失性元件，所述多个非易失性元件设置在与基板中设置有所述易失性存储元件的主面侧相反的背面侧，并各自通过互连基板的主面侧和背面侧的触点连接到所述易失性存储元件的存储节点；

其中所述多个非易失性元件包括用于冗余救济的非易失性元件和正常使用的非易失性元件，并且其中至少一个用于冗余救济的非易失性元件以及正常使用的非易失性元件彼此尺寸不同。

6.按照权利要求5所述的半导体装置，其中用于控制所述非易失性元件的控制线设置在基板的背面侧。

7.按照权利要求5所述的半导体装置，其中电气互连非易失性元件和所述存储节点的选择晶体管设置在基板的主面侧，所述选择晶体管的一个扩散区连接到所述触点，并且所述选择晶体管的另一个扩散区连接到所述存储节点。

8.按照权利要求5所述的半导体装置，其中所述非易失性元件是铁磁隧道结元件。

9.按照权利要求5所述的半导体装置，其中所述非易失性元件是电阻可变存储器。

10.按照权利要求7所述的半导体装置，其中按照构成所述易失性存储元件的多个晶体管的栅电极和所述选择晶体管的栅电极彼此平行，并且栅电极以直线方式并排布置的方式，设置所述多个晶体管和所述选择晶体管，以及

作为所述选择晶体管的两个选择晶体管布置在彼此相对的对角位置，所述两个选择晶体管与设置有所述多个晶体管的区域相邻。

11.按照权利要求7所述的半导体装置，其中按照构成所述易失性存储元件的多个晶体管的栅电极彼此平行的方式，在预定区域中布置所述多个晶体管，以及

所述选择晶体管和非易失性元件被布置在与所述预定区域相邻的区域中，并且按照所述选择晶体管的栅电极与所述多个晶体管的栅电极平行的方式，布置所述选择晶体管。

12.按照权利要求7所述的半导体装置，其中所述基板具有彼此相邻的p型阱区和n型阱区，

构成所述易失性存储元件的多个晶体管被布置在所述p型阱区和n型阱区中，并且所述选择晶体管被布置在所述p型阱区中的布置所述多个晶体管的区域的两端位置，以及

按照所述多个晶体管的栅电极和所述选择晶体管的栅电极彼此平行的方式，布置所述多个晶体管和所述选择晶体管。

13.按照权利要求7所述的半导体装置，其中所述基板具有彼此相邻的p型阱区和n型阱区，

构成所述易失性存储元件的多个晶体管被布置在所述p型阱区和n型阱区中，

所述选择晶体管被布置在相对于其中布置了构成所述易失性存储元件的所述多个晶体管的区域，在与并排布置p型阱区和n型阱区的方向近似垂直的方向上相邻的区域中，以及

按照所述多个晶体管的栅电极和所述选择晶体管的栅电极彼此平行的方式，布置所述多个晶体管和所述选择晶体管。